| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 薄膜技术 | 第12-15页 |
| 1.2.1 薄膜技术简介 | 第12-13页 |
| 1.2.2 薄膜的生长 | 第13-15页 |
| 1.3 硬质薄膜的发展及分类 | 第15-16页 |
| 1.3.1 硬质薄膜的发展 | 第15-16页 |
| 1.3.2 硬质薄膜的分类 | 第16页 |
| 1.4 纳米薄膜技术 | 第16-19页 |
| 1.4.1 纳米复合薄膜 | 第16-18页 |
| 1.4.2 纳米多层薄膜 | 第18-19页 |
| 1.5 硬质膜的制膜方法 | 第19-22页 |
| 1.5.1 气相沉积技术概述 | 第19-20页 |
| 1.5.2 化学气相沉积(CVD) | 第20页 |
| 1.5.3 物理气相沉积(PVD) | 第20-22页 |
| 1.5.4 等离子体技术 | 第22页 |
| 1.6 Ti-W-N复合膜及纳米多层膜研究现状 | 第22-23页 |
| 1.7 本研究目的意义及主要内容 | 第23-24页 |
| 第2章 薄膜的制备与表征 | 第24-32页 |
| 2.1 实验原理与实验设备 | 第24-26页 |
| 2.1.1 磁控溅射原理 | 第24-25页 |
| 2.1.2 镀膜设备 | 第25-26页 |
| 2.2 基片的前处理 | 第26页 |
| 2.3 薄膜结构的表征方法和表征设备 | 第26-28页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第27页 |
| 2.3.3 能量色散谱仪(EDS) | 第27-28页 |
| 2.3.4 透射电子显微镜(TEM) | 第28页 |
| 2.4 薄膜性能的表征方法和表征设备 | 第28-32页 |
| 2.4.1 维氏显微硬度测试仪 | 第28-29页 |
| 2.4.2 划痕仪 | 第29页 |
| 2.4.3 摩擦磨损试验机 | 第29-30页 |
| 2.4.4 电化学工作站 | 第30-32页 |
| 第3章 W-N单层膜的制备及性能研究 | 第32-40页 |
| 3.1 W-N单层膜的制备工艺 | 第32页 |
| 3.2 W-N单层膜的断口形貌分析 | 第32-35页 |
| 3.3 不同氮氩流量比下W-N单层膜的EDS分析 | 第35页 |
| 3.4 不同氮氩流量比下W-N单层膜的XRD分析 | 第35-36页 |
| 3.5 氮氩流量比对W-N单层膜性能的影响 | 第36-38页 |
| 3.5.1 氮氩流量比对W-N薄膜显微硬度的影响 | 第36-37页 |
| 3.5.2 氮氩流量比对W-N薄膜结合力的影响 | 第37页 |
| 3.5.3 氮氩流量比对W-N薄膜摩擦系数的影响 | 第37-38页 |
| 3.6 溅射功率比对W-N单层膜力学性能的影响 | 第38-39页 |
| 3.6.1 溅射功率对W-N薄膜显微硬度的影响 | 第38-39页 |
| 3.6.2 溅射功率对W-N薄膜结合力的影响 | 第39页 |
| 3.7 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 Ti-W-N复合膜的制备及性能研究 | 第40-66页 |
| 4.1 Ti-W-N复合膜的制备工艺 | 第40页 |
| 4.2 Ti-W-N复合膜的XRD分析 | 第40-44页 |
| 4.2.1 钨含量对Ti-W-N复合膜XRD的影响 | 第40-42页 |
| 4.2.2 N_2流量对Ti-W-N复合膜XRD的影响 | 第42-43页 |
| 4.2.3 温度对Ti-W-N复合膜XRD的影响 | 第43-44页 |
| 4.3 Ti-W-N复合膜的表面形貌分析 | 第44-48页 |
| 4.3.1 钨含量对Ti-W-N复合膜表面形貌的影响 | 第44-46页 |
| 4.3.2 N_2流量对Ti-W-N复合膜表面形貌的影响 | 第46-47页 |
| 4.3.3 温度对Ti-W-N复合膜表面形貌的影响 | 第47-48页 |
| 4.4 Ti-W-N复合膜显微硬度分析 | 第48-51页 |
| 4.4.1 W含量对Ti-W-N复合膜显微硬度的影响 | 第48-49页 |
| 4.4.2 N_2流量对Ti-W-N复合膜显微硬度的影响 | 第49-50页 |
| 4.4.3 温度对Ti-W-N复合膜显微硬度的影响 | 第50-51页 |
| 4.5 Ti-W-N复合膜结合力分析 | 第51-56页 |
| 4.5.1 W含量对Ti-W-N复合膜结合力的影响 | 第52-53页 |
| 4.5.2 N_2流量对Ti-W-N复合膜结合的影响 | 第53-54页 |
| 4.5.3 温度对Ti-W-N复合膜结合力的影响 | 第54-56页 |
| 4.6 Ti-W-N复合膜摩擦系数分析 | 第56-61页 |
| 4.6.1 W含量对Ti-W-N复合膜摩擦系数的影响 | 第56-57页 |
| 4.6.2 N_2流量对Ti-W-N复合膜摩擦系数的影响 | 第57-59页 |
| 4.6.3 温度对Ti-W-N复合膜摩擦系数的影响 | 第59-61页 |
| 4.7 Ti-W-N复合膜的耐蚀性分析 | 第61-64页 |
| 4.7.1 钨含量对Ti-W-N复合膜电化学性能的影响 | 第61-62页 |
| 4.7.2 N_2流量对Ti-W-N复合膜电化学性能的影响 | 第62-63页 |
| 4.7.3 温度对Ti-W-N复合膜电化学性能的影响 | 第63-64页 |
| 4.8 本章小结 | 第64-66页 |
| 第5章 TiN/W-N多层膜的制备及性能研究 | 第66-80页 |
| 5.1 TiN/W-N多层膜的制备 | 第66-67页 |
| 5.2 调制周期对TiN/W-N多层膜结构与性能的影响 | 第67-73页 |
| 5.2.1 调制周期对TiN/W-N多层膜XRD的影响 | 第67-68页 |
| 5.2.2 不同调制周期的TiN/W-N多层膜断口及表面形貌分析 | 第68-70页 |
| 5.2.3 调制周期TiN/W-N多层膜显微硬度的影响 | 第70-71页 |
| 5.2.4 调制周期对TiN/W-N多层膜结合力的影响 | 第71-72页 |
| 5.2.5 调制周期对TiN/W-N多层膜摩擦系数的影响 | 第72-73页 |
| 5.3 调制比对TiN/W-N多层膜结构与性能的影响 | 第73-78页 |
| 5.3.1 调制比对TiN/W-N多层膜XRD的影响 | 第73-74页 |
| 5.3.2 不同调制比的TiN/W-N多层膜断口及表面形貌分析 | 第74-75页 |
| 5.3.3 调制比TiN/W-N多层膜显微硬度的影响 | 第75-76页 |
| 5.3.4 调制比对TiN/W-N多层膜结合力的影响 | 第76-77页 |
| 5.3.5 调制比对TiN/W-N多层膜摩擦系数的影响 | 第77-78页 |
| 5.4 本章小结 | 第78-80页 |
| 第6章 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 致谢 | 第88页 |
