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低配位钼的定量电子谱学研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-17页
    1.1 电子能谱学概述第9-11页
    1.2 表面和团簇的键弛豫第11-12页
    1.3 Mo表面和团簇的研究现状第12-15页
    1.4 本论文的选题依据和主要内容第15-17页
第2章 理论基础第17-31页
    2.1 键弛豫理论第17-24页
        2.1.1 键序-键长-键强(BOLS)理论或键弛豫理论第17-18页
        2.1.2 化学键–能带–势垒关联理论第18-19页
        2.1.3 键弛豫理论的数学表达第19-21页
        2.1.4 纳米材料的核壳模型第21-24页
    2.2 能带理论第24-27页
        2.2.1 近自由电子近似模型第25-26页
        2.2.2 紧束缚近似模型第26-27页
    2.3 X射线光电子能谱第27-29页
    2.4 密度泛函理论计算第29-30页
    2.5 本章小结第30-31页
第3章 Mo表面芯能级偏移第31-37页
    3.1 键弛豫理论与XPS谱结合第31-33页
        3.1.1 BOLS理论与紧束缚近似理论结合第31-32页
        3.1.2 XPS解谱的基本原理及方法第32-33页
    3.2 Mo表面的 3d5/2能级偏移第33-36页
    3.3 本章小结第36-37页
第4章 Mo纳米团簇的能态密度分析第37-42页
    4.1 Mo纳米团簇能级的尺寸效应分析第37-39页
    4.2 Mo纳米团簇的芯能级偏移和价带极化第39-41页
    4.3 本章小结第41-42页
第5章 总结和展望第42-44页
    5.1 全文总结第42页
    5.2 工作展望第42-44页
参考文献第44-50页
致谢第50-51页
个人简历与在校期间发表的学术论文与研究成果第51页

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