摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第10-22页 |
1.1 课题背景来源 | 第10页 |
1.2 研究目的与意义 | 第10-12页 |
1.3 国内外的研究现状 | 第12-21页 |
1.3.1 多层薄膜的强度与其尺寸结构 | 第12-13页 |
1.3.2 多层薄膜的电学行为与其尺寸结构 | 第13-14页 |
1.3.3 Cu/Sn界面微观组织及晶粒取向研究 | 第14-17页 |
1.3.4 Cu/Sn/Cu体系晶粒取向关系及其他Cu_3Sn相关研究 | 第17-21页 |
1.4 本文的主要研究内容 | 第21-22页 |
第2章 材料及实验方法 | 第22-30页 |
2.1 实验过程概述 | 第22页 |
2.2 实验材料、设备和试样制备 | 第22-27页 |
2.2.1 实验材料 | 第22页 |
2.2.2 实验设备 | 第22-23页 |
2.2.3 Cu/Sn多层薄膜的设计与电镀制备 | 第23页 |
2.2.4 Cu-Cu/Sn多层薄膜-基板结构对接试样的制备 | 第23-25页 |
2.2.5 Cu-Cu/Sn多层薄膜-基板结构力学性能试样制备 | 第25-26页 |
2.2.6 Cu-Cu/Sn多层薄膜-诱发薄膜对接焊点EBSD试样制备 | 第26-27页 |
2.3 实验方法 | 第27-30页 |
2.3.1 Cu/Sn多层薄膜电镀制备方法 | 第27页 |
2.3.2 温度载荷下焊点界面组织研究 | 第27-28页 |
2.3.3 EBSD晶粒取向研究 | 第28-30页 |
第3章 Cu/Sn多层薄膜电镀工艺研究 | 第30-46页 |
3.1 Cu/Sn薄膜电镀前处理 | 第30页 |
3.2 单层薄膜的电镀参数探索 | 第30-33页 |
3.3 多层薄膜的电镀制备 | 第33-39页 |
3.3.1 Cu/Sn多层薄膜的电镀制备 | 第33-35页 |
3.3.2 Cu/Sn多层薄膜平整性优化探索 | 第35-37页 |
3.3.3 Cu/Sn多层薄膜的电镀蒸镀混合制备 | 第37-39页 |
3.4 多层薄膜对接焊点制备 | 第39-44页 |
3.5 Cu/Sn多层诱发薄膜的电镀制备 | 第44-45页 |
3.6 本章小结 | 第45-46页 |
第4章 Cu/Sn多层薄膜对接焊点界面研究 | 第46-64页 |
4.1 Cu-Cu/Sn多层薄膜-Si O2 结构对接焊点组织分析 | 第46-52页 |
4.1.1 260℃焊接结果分析 | 第46-48页 |
4.1.2 280℃焊接结果分析 | 第48-49页 |
4.1.3 300℃焊接结果分析 | 第49-52页 |
4.2 Cu-Cu/Sn多层薄膜-Si O2 结构对接焊点缺陷分析 | 第52-61页 |
4.2.1 260℃对接焊点缺陷分析 | 第52-56页 |
4.2.2 280℃对接焊点缺陷分析 | 第56-58页 |
4.2.3 300℃对接焊点缺陷分析 | 第58-61页 |
4.3 含诱发薄膜试样对接焊点组织分析 | 第61-63页 |
4.3.1 Cu/Sn多层诱发薄膜对接焊点组织分析 | 第61-62页 |
4.3.2 Cu-Cu/Sn多层薄膜-诱发薄膜对接焊点组织分析 | 第62-63页 |
4.4 本章小结 | 第63-64页 |
第5章 对接焊点组织分析及剪切性能研究 | 第64-75页 |
5.1 300℃对接焊点微观组织分析 | 第64-65页 |
5.2 300℃对接焊点力学性能分析 | 第65-66页 |
5.3 300℃对接焊点断口结构分析 | 第66-72页 |
5.3.1 Si O_2 基板断裂结果分析 | 第66-67页 |
5.3.2 多层薄膜断口界面分析 | 第67-70页 |
5.3.3 对接焊点断口截面分析 | 第70-72页 |
5.4 300℃含诱发薄膜对接焊点IMCs晶粒取向分析 | 第72-74页 |
5.5 本章小结 | 第74-75页 |
结论 | 第75-77页 |
参考文献 | 第77-81页 |
致谢 | 第81页 |