| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-38页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 石墨烯材料简介 | 第12-17页 |
| 1.2.1 石墨烯的结构与制备 | 第12-14页 |
| 1.2.2 石墨烯的性质 | 第14-16页 |
| 1.2.3 石墨烯的光电应用 | 第16-17页 |
| 1.3 太赫兹技术简介 | 第17-20页 |
| 1.3.1 太赫兹波的特性 | 第17-18页 |
| 1.3.2 太赫兹应用技术 | 第18-19页 |
| 1.3.3 太赫兹技术的应用领域 | 第19-20页 |
| 1.4 石墨烯在太赫兹波段的电导特性研究背景 | 第20-28页 |
| 1.4.1 单层石墨烯带内跃迁决定的太赫兹电导 | 第20-23页 |
| 1.4.2 石墨烯的太赫兹光谱与成像 | 第23-25页 |
| 1.4.3 多层石墨稀的太赫兹特性 | 第25-26页 |
| 1.4.4 石墨烯在太赫兹波段的磁光特性 | 第26-27页 |
| 1.4.5 石墨烯衍生材料的太赫兹特性 | 第27-28页 |
| 1.5 石墨烯在太赫兹波段的应用研究背景 | 第28-34页 |
| 1.5.1 石墨烯电光调制器 | 第28-30页 |
| 1.5.2 石墨烯磁光调制器 | 第30页 |
| 1.5.3 石墨烯全光调制器 | 第30-31页 |
| 1.5.4 石墨烯等离子体与超材料 | 第31-33页 |
| 1.5.5 石墨烯减反射膜 | 第33-34页 |
| 1.6 本论文选题的目的和意义 | 第34-38页 |
| 第二章 单层与随机堆叠多层石墨烯的太赫兹电导 | 第38-52页 |
| 2.1 引言 | 第38-40页 |
| 2.2 实验方法 | 第40-42页 |
| 2.2.1 太赫兹测试仪器与参数 | 第40-41页 |
| 2.2.2 石墨烯样品的制备 | 第41-42页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第42-50页 |
| 2.3.1 石墨烯的材料表征 | 第42-43页 |
| 2.3.2 单层与堆叠多层石墨烯的太赫兹光谱 | 第43-45页 |
| 2.3.3 堆叠多层石墨烯太赫兹电导的理论计算 | 第45-49页 |
| 2.3.4 单层与堆叠多层石墨烯的太赫兹电导 | 第49-50页 |
| 2.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第三章 基于石墨烯的宽波段太赫兹减反射膜 | 第52-65页 |
| 3.1 引言 | 第52-55页 |
| 3.2 实验方法 | 第55页 |
| 3.2.1 石墨烯样品的制备 | 第55页 |
| 3.2.2 太赫兹测试描述 | 第55页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第55-64页 |
| 3.3.1 不同基底上多层石墨烯的太赫兹时域光谱及透过分析 | 第55-59页 |
| 3.3.2 不同基底上堆叠多层石墨烯的太赫兹电导 | 第59-62页 |
| 3.3.3 不同基底上石墨烯的减反射应用性能分析 | 第62-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 还原氧化石墨烯的宽波段可调谐太赫兹响应 | 第65-84页 |
| 4.1 引言 | 第65-66页 |
| 4.2 实验方法 | 第66-68页 |
| 4.2.1 GO的溶液途径制备 | 第66-67页 |
| 4.2.2 GO和rGO膜的制备 | 第67-68页 |
| 4.2.3 材料的表征方式 | 第68页 |
| 4.3 GO与rGO的表征 | 第68-74页 |
| 4.3.1 光学照片以及微观形貌 | 第68-70页 |
| 4.3.2 样品的XPS表征 | 第70-71页 |
| 4.3.3 样品的Raman表征 | 第71-73页 |
| 4.3.4 样品的厚度表征 | 第73-74页 |
| 4.4 GO与rGO的太赫兹电导及应用 | 第74-83页 |
| 4.4.1 GO与rGO的太赫兹时域光谱 | 第74-75页 |
| 4.4.2 GO与rGO的太赫兹频域光谱 | 第75-77页 |
| 4.4.3 GO与rGO的太赫兹电导 | 第77-80页 |
| 4.4.4 GO与rGO的太赫兹应用 | 第80-83页 |
| 4.5 本章小结 | 第83-84页 |
| 第五章 栅压调控下石墨烯的太赫兹减反射与衰减应用 | 第84-100页 |
| 5.1 引言 | 第84-86页 |
| 5.2 基于石墨烯的电控太赫兹减反射膜 | 第86-94页 |
| 5.2.1 石墨烯电控减反射膜的设计方案 | 第86-88页 |
| 5.2.2 石墨烯电控减反射膜的应用原理 | 第88-91页 |
| 5.2.3 石墨烯电控减反射膜的性能参数 | 第91-94页 |
| 5.3 太赫兹波段基于石墨烯的可调电导率衰减片 | 第94-98页 |
| 5.3.1 石墨烯电调衰减片的设计方案 | 第94-96页 |
| 5.3.2 石墨烯电调衰减片的应用原理 | 第96页 |
| 5.3.3 石墨烯电调衰减片的性能参数 | 第96-98页 |
| 5.4 本章小结 | 第98-100页 |
| 第六章 石墨烯的可调太赫兹磁光等离子体及应用 | 第100-114页 |
| 6.1 引言 | 第100-101页 |
| 6.2 理论方法及模型 | 第101-105页 |
| 6.2.1 石墨烯/介质/基底的三层器件模型 | 第101-103页 |
| 6.2.2 介质层与基底的选择 | 第103-105页 |
| 6.2.3 电压调控下石墨烯的磁光电导 | 第105页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第105-112页 |
| 6.3.1 石墨烯的可调磁光等离子体 | 第105-108页 |
| 6.3.2 石墨烯太赫兹调制器与隔离器 | 第108-110页 |
| 6.3.3 基底的干涉效应对器件的影响 | 第110-112页 |
| 6.4 本章小结 | 第112-114页 |
| 第七章 太赫兹波段石墨烯的可调磁光Kerr效应 | 第114-134页 |
| 7.1 引言 | 第114-116页 |
| 7.2 计算方法及模型选择 | 第116-120页 |
| 7.2.1 石墨烯/SiO_2/Si器件模型 | 第116-117页 |
| 7.2.2 单次反射简化与基底的选择 | 第117-118页 |
| 7.2.3 双层基底上石墨烯磁光Kerr效应的简化计算 | 第118-120页 |
| 7.3 量子体系下石墨烯的磁光Kerr效应研究 | 第120-128页 |
| 7.3.1 石墨烯的Kubo电导 | 第120-122页 |
| 7.3.2 F-P效应影响下的磁光Kerr效应 | 第122-126页 |
| 7.3.3 磁场与栅压调制的磁光Kerr效应 | 第126-128页 |
| 7.4 经典体系下石墨烯的磁光Kerr效应研究 | 第128-132页 |
| 7.4.1 石墨烯的Drude电导 | 第128-129页 |
| 7.4.2 经典体系下石墨烯的磁光Kerr效应 | 第129-130页 |
| 7.4.3 石墨烯的宽波段太赫兹反射调制应用 | 第130-132页 |
| 7.5 本章小结 | 第132-134页 |
| 总结与展望 | 第134-137页 |
| 参考文献 | 第137-150页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第150-152页 |
| 致谢 | 第152-153页 |
| 作者简介 | 第153页 |