| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 自旋电子学与自旋电子器件 | 第11-15页 |
| 1.1.1 巨磁电阻效应 | 第11-13页 |
| 1.1.2 隧道磁电阻效应(TMR) | 第13-14页 |
| 1.1.3 磁动态随机存储器件(MRAM) | 第14-15页 |
| 1.2 论文研究背景及选题依据 | 第15-19页 |
| 1.3 本论文研究的主要内容 | 第19-21页 |
| 第二章 微磁学及磁动力学理论 | 第21-39页 |
| 2.1 微磁学简介 | 第21页 |
| 2.2 微磁学分析中的各种能量 | 第21-24页 |
| 2.3 微磁学计算方法 | 第24-28页 |
| 2.4 自旋转移力矩效应 | 第28-31页 |
| 2.5 自旋波理论 | 第31-38页 |
| 2.5.1 自旋波理论概述 | 第31-34页 |
| 2.5.2 均匀磁化矩形磁纳米薄膜的自旋波特性 | 第34-38页 |
| 2.6 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 磁纳米结构磁体系的本征自旋波特性 | 第39-66页 |
| 3.1 引言 | 第39页 |
| 3.2 椭圆纳米点的自旋波特性 | 第39-49页 |
| 3.2.1 激发磁场对称性对自旋波的影响 | 第40-42页 |
| 3.2.2 厚度对椭圆磁纳米点自旋波的调制 | 第42-49页 |
| 3.3 磁纳米点形状对自旋波本征特性调制 | 第49-54页 |
| 3.4 三层膜磁纳米结构的自旋波本征特性 | 第54-60页 |
| 3.4.1 对称型三层膜磁纳米结构的自旋波特性 | 第56-58页 |
| 3.4.2 静磁耦合强度对自旋波本征特性的调制 | 第58-59页 |
| 3.4.3 反铁磁耦合强度对自旋波本征特性的调制 | 第59-60页 |
| 3.5 非对称型三层膜磁纳米结构的自旋波特性 | 第60-64页 |
| 3.5.1 铁磁层厚度非对称三层膜纳米结构的自旋波特性 | 第60-61页 |
| 3.5.2 磁参数非对称三层膜磁纳米结构的自旋波特性 | 第61-64页 |
| 3.6 本章小结 | 第64-66页 |
| 第四章 磁纳米结构体系的反磁化机制及自旋波软模现象 | 第66-90页 |
| 4.1 引言 | 第66页 |
| 4.2 矩形纳米点的反磁化与自旋波的软化 | 第66-71页 |
| 4.2.1 矩形纳米点的反磁化特性 | 第66-68页 |
| 4.2.2 矩形磁纳米点微磁结构状态变化和自旋波模式软化 | 第68-71页 |
| 4.3 形状对磁纳米点的反磁化与自旋波软化现象的调制 | 第71-79页 |
| 4.3.1 形状对磁纳米点的反磁化过程的调制 | 第71-76页 |
| 4.3.2 形状对磁纳米点的微磁结构状态变化和自旋波软模式特性的调制 | 第76-79页 |
| 4.4 反铁磁耦合三层膜纳米结构的反磁化及自旋波软化现象 | 第79-89页 |
| 4.4.1 厚度对称的三层膜的反磁化特性 | 第80-82页 |
| 4.4.2 厚度对称的三层膜微磁结构状态变化与自旋波软模特性 | 第82-84页 |
| 4.4.3 厚度非对称三层膜的反磁化特性 | 第84-86页 |
| 4.4.4 厚度非对称三层膜的微磁结构状态变化和自旋波软模特性 | 第86-89页 |
| 4.5 本章小结 | 第89-90页 |
| 第五章 纳米磁体的超快进动反磁化过程研究 | 第90-107页 |
| 5.1 引言 | 第90页 |
| 5.2 磁场驱动的进动反磁化 | 第90-98页 |
| 5.2.1 磁场驱动进动反磁化机理 | 第90-91页 |
| 5.2.2 脉冲持续时间窗口的扩宽 | 第91-94页 |
| 5.2.3 磁反转后磁振荡的抑制 | 第94-98页 |
| 5.3 自旋极化电流驱动的进动反磁化 | 第98-105页 |
| 5.3.1 自旋极化电流驱动的进动反磁化机理 | 第98-101页 |
| 5.3.2 方形波脉冲电流驱动的进动反磁化 | 第101-103页 |
| 5.3.3 余弦波脉冲电流驱动的进动反磁化 | 第103-105页 |
| 5.4 本章小结 | 第105-107页 |
| 第六章 总结与展望 | 第107-110页 |
| 6.1 总结 | 第107-109页 |
| 6.2 展望 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-124页 |
| 致谢 | 第124-125页 |
| 攻读博士学位期间主要研究成果 | 第125-126页 |
