| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 Heusler 合金的物理特性和晶体结构 | 第8-10页 |
| 1.2 半金属材料的发展与研究现状 | 第10-14页 |
| 1.3 本文研究的目的、意义及内容 | 第14-16页 |
| 第二章 实验和理论计算方法 | 第16-22页 |
| 2.1 样品的制备方法与设备 | 第16-17页 |
| 2.1.1 电弧炉熔炼样品的制备 | 第16页 |
| 2.1.2 甩带样品的制备 | 第16-17页 |
| 2.2 测量方法与设备 | 第17-20页 |
| 2.2.1 X 射线衍射仪 | 第17-18页 |
| 2.2.2 震动样品磁强计 | 第18页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第18-19页 |
| 2.2.4 超导量子磁强计 | 第19页 |
| 2.2.5 磁综合测量系统 | 第19-20页 |
| 2.3 理论计算方法 | 第20-21页 |
| 2.4 小结 | 第21-22页 |
| 第三章 V_2Re 基 Heusler 化合物电子结构和磁性的研究 | 第22-38页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 理论计算方法 | 第22-23页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第23-36页 |
| 3.3.1 V_2Re 基 Heusler 化合物的电子结构和磁性 | 第23-28页 |
| 3.3.2 晶格畸变对 V_2Re 基 Heusler 化合物性能的影响 | 第28-32页 |
| 3.3.3 自旋轨道耦合作用对 V_2Re 基 Heusler 化合物性能的影响 | 第32-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 Ti_2Mn 基 Heusler 化合物结构和磁性的研究 | 第38-58页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 实验和理论计算方法 | 第38-39页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第39-57页 |
| 4.3.1 Ti_2MnZ（Z=Al，Ga，In）化合物的晶体结构和稳定性 | 第39-44页 |
| 4.3.2 Ti_2MnZ（Z=Si，Ge，Sn，Sb，Bi）化合物的电子结构和磁性 | 第44-50页 |
| 4.3.3 主族元素掺杂对 Ti_2MnIn 化合物性能的影响 | 第50-54页 |
| 4.3.4 过渡族元素掺杂对 Ti_2MnIn 化合物性能的影响 | 第54-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 Ti_2Cr 基 Heusler 化合物电子结构和磁性的研究 | 第58-72页 |
| 5.1 引言 | 第58-59页 |
| 5.2 理论计算方法 | 第59页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第59-70页 |
| 5.3.1 Ti_2Cr 基 Heusler 化合物的电子结构和磁性 | 第59-61页 |
| 5.3.2 Ti_2Cr 基 Heusler 化合物的带隙起源 | 第61-64页 |
| 5.3.3 主族元素掺杂对 Ti_2CrSn Heusler 化合物性能的影响 | 第64-67页 |
| 5.3.4 过渡族元素掺杂对 Ti_2CrSn Heusler 化合物性能的影响 | 第67-70页 |
| 5.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 第六章 四元 TiFeXY（X=Cr，Mn，Fe，Co，Ni；Y=Al，Ga，Si，Ge）合金结构转变和物性研究 | 第72-84页 |
| 6.1 引言 | 第72-73页 |
| 6.2 实验和理论计算方法 | 第73-74页 |
| 6.3 结果和讨论 | 第74-82页 |
| 6.3.1 TiFeXY 四元合金的晶体结构和相组成 | 第74-79页 |
| 6.3.2 TiFeXY 四元合金的电子结构和磁性 | 第79-82页 |
| 6.4 本章小结 | 第82-84页 |
| 第七章 四元（NiMnSb）100-xZx（Z=Cr，Fe，Co）合金相结构和物性的研究 | 第84-96页 |
| 7.1 引言 | 第84-85页 |
| 7.2 实验和理论计算方法 | 第85页 |
| 7.3 结果和讨论 | 第85-94页 |
| 7.3.1 （NiMnSb）100-xZx合金的成相和结构 | 第85-90页 |
| 7.3.2 多层膜结构的（NiMnSb）100-xZx合金的理论计算 | 第90-94页 |
| 7.4 本章小结 | 第94-96页 |
| 第八章 结论 | 第96-100页 |
| 参考文献 | 第100-108页 |
| 攻读博士学位期间所取得的相关科研成果 | 第108-110页 |
| 致谢 | 第110页 |
