| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第8-10页 |
| 1.1.1 相控阵雷达概述 | 第8-9页 |
| 1.1.2 T/R组件 | 第9-10页 |
| 1.2 SiGe BiCMOS工艺特点 | 第10-12页 |
| 1.3 本论文的研究内容和贡献 | 第12-13页 |
| 1.4 本文的章节安排 | 第13-14页 |
| 第二章 射频功率放大器概述 | 第14-27页 |
| 2.1 射频功率放大器分类 | 第14-16页 |
| 2.1.1 射频功率放大器简介 | 第14页 |
| 2.1.2 射频功率放大器分类 | 第14-16页 |
| 2.2 射频功率放大器的性能指标 | 第16-22页 |
| 2.3 射频功率放大器线性化技术 | 第22-25页 |
| 2.4 射频功率放大器效率提升技术 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 功率放大器设计流程及其关键点 | 第27-40页 |
| 3.1 射频功率放大器设计流程 | 第27-35页 |
| 3.1.1 电路结构与工作类型的选择 | 第27-28页 |
| 3.1.2 阻抗匹配网络的选择 | 第28-32页 |
| 3.1.3 偏置电路的设计 | 第32-35页 |
| 3.2 射频功率放大器的稳定性 | 第35-38页 |
| 3.2.1 交流稳定性 | 第35-37页 |
| 3.2.2 热稳定性 | 第37-38页 |
| 3.3 射频功率放大器版图设计 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 4-6GHz单级功率放大器设计 | 第40-48页 |
| 4.1 国外某foundry 0.13um SiGe BiCMOS工艺介绍 | 第40-42页 |
| 4.2 原理图设计 | 第42-44页 |
| 4.3 版图设计 | 第44页 |
| 4.4 版图的后仿真结果 | 第44-47页 |
| 4.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 6-8GHz两级功率放大器设计 | 第48-54页 |
| 5.1 原理图设计 | 第48-50页 |
| 5.2 版图的设计与后仿真结果 | 第50-53页 |
| 5.2.1 版图的设计 | 第50页 |
| 5.2.2 后仿真结果 | 第50-53页 |
| 5.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 SiGe BiCMOS功率放大器芯片测试与分析 | 第54-66页 |
| 6.1 功率放大器芯片测试系统 | 第54-55页 |
| 6.2 功率放大器芯片测试方案 | 第55-57页 |
| 6.3 4-6GHz单级功放的测试结果与分析 | 第57-61页 |
| 6.4 6-8GHz两级功放的测试结果与分析 | 第61-65页 |
| 6.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第七章 总结和展望 | 第66-68页 |
| 7.1 论文工作的总结 | 第66-67页 |
| 7.2 下一步的研究工作 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |