| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 BTO材料以及其介电性能 | 第10-11页 |
| 1.2.1 BTO结构介绍 | 第10页 |
| 1.2.2 BTO介电特性介绍 | 第10-11页 |
| 1.3 BTO铁电薄膜漏电流研究意义 | 第11-13页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第13-19页 |
| 1.4.1 在Ni基板上生长BTO研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4.2 铁电薄膜漏电特性研究现状 | 第14-17页 |
| 1.4.3 国内外降低薄膜漏电流方法 | 第17-19页 |
| 第二章 理论分析 | 第19-28页 |
| 2.1 薄膜内部导电与界面导电理论 | 第19-20页 |
| 2.1.1 薄膜内部导电理论 | 第19页 |
| 2.1.2 薄膜界面导电理论 | 第19-20页 |
| 2.2 固体中的电输运 | 第20-27页 |
| 2.2.1 欧姆导电机制 | 第20页 |
| 2.2.2 肖特基发射（Schottly emission）导电机制 | 第20-23页 |
| 2.2.3 福勒-诺德海姆（Fowler-Nordheim）导电机制 | 第23页 |
| 2.2.4 空间电荷限制电流（SCLC）导电机制 | 第23-26页 |
| 2.2.5 普尔－费仑凯尔（Poole-Frenkel）导电机制 | 第26-27页 |
| 2.3 电介质薄膜的击穿理论 | 第27-28页 |
| 第三章 实验方法 | 第28-37页 |
| 3.1 BTO薄膜样品的制备 | 第28-33页 |
| 3.1.1 铁电薄膜的制备方法 | 第28-30页 |
| 3.1.2 高分子辅助沉积法制备BTO薄膜 | 第30-33页 |
| 3.2 BTO薄膜表征方法 | 第33-36页 |
| 3.2.1 BTO薄膜的结构表征 | 第33-34页 |
| 3.2.2 薄膜介电特性表征 | 第34-35页 |
| 3.2.3 BTO薄膜漏电曲线测量 | 第35-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 薄膜漏电流分析 | 第37-48页 |
| 4.1 正电压下的漏电分析 | 第37-42页 |
| 4.2 负电压下的导电机制 | 第42-44页 |
| 4.3 界面电阻以及体电阻的计算模型 | 第44-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 降低薄膜漏电流方法研究 | 第48-60页 |
| 5.1 薄膜退火研究 | 第48-52页 |
| 5.2 氧化镍层降低漏电流研究 | 第52-56页 |
| 5.3 不同Ti掺杂研究 | 第56-59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-61页 |
| 第七章 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第65-66页 |
