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硅表面有机分子自由基链反应机理及分子线性质的理论研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-19页
    1.1 引言第10-11页
    1.2 Si(100)表面的研究背景第11-13页
    1.3 有机过渡金属三明治化合物及其分子线的研究背景第13-16页
    1.4 研究思路第16-19页
第2章 理论研究方法第19-27页
    2.1 引言第19-20页
    2.2 波恩-奥本海默(Born-Oppenheimer)近似第20-21页
    2.3 密度泛函理论(Density Functional Theory)方法第21-27页
        2.3.1 Thomas–Fermi 模型第21-22页
        2.3.2 Hohenberg-Kohn 定理:多体理论第22-24页
        2.3.3 Kohn-Sham 方法:有效的单体理论第24-25页
        2.3.4 交换相关泛函第25-26页
        2.3.5 小结第26-27页
第3章 不饱和有机分子在水饱和的硅(100)表面上的自由基链反应机理第27-39页
    3.1 引言第27页
    3.2 计算模型和方法第27-28页
    3.3 结果与讨论第28-38页
        3.3.1 水饱和的 Si(100)-(2×1)表面上的两种自由基链反应机理第28-34页
        3.3.2 被吸附的 O 原子对悬空键的反应性和有机分子在水饱和的 Si(100)-(2×1) 上可能的生长模式产生的影响第34-38页
    3.4 小结第38-39页
第4章 H-Si(100)-(2×1)表面[TM(styrene)]∞(TM = Sc, Ti, V, Cr 和 Mn)一维分子线的结构、电子和磁性性质研究第39-54页
    4.1 引言第39-40页
    4.2 计算模型和方法第40-41页
    4.3 计算结果与讨论第41-52页
        4.3.1 单分子线的计算结果与讨论第41-49页
        4.3.2 双分子线的结果与讨论第49-52页
    4.4 小结第52-54页
第5章 结论与展望第54-56页
    5.1 结论第54-55页
    5.2 展望第55-56页
参考文献第56-65页
致谢第65-66页
个人简历、攻读学位期间发表论文目录第66页

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