摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-19页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 Si(100)表面的研究背景 | 第11-13页 |
1.3 有机过渡金属三明治化合物及其分子线的研究背景 | 第13-16页 |
1.4 研究思路 | 第16-19页 |
第2章 理论研究方法 | 第19-27页 |
2.1 引言 | 第19-20页 |
2.2 波恩-奥本海默(Born-Oppenheimer)近似 | 第20-21页 |
2.3 密度泛函理论(Density Functional Theory)方法 | 第21-27页 |
2.3.1 Thomas–Fermi 模型 | 第21-22页 |
2.3.2 Hohenberg-Kohn 定理:多体理论 | 第22-24页 |
2.3.3 Kohn-Sham 方法:有效的单体理论 | 第24-25页 |
2.3.4 交换相关泛函 | 第25-26页 |
2.3.5 小结 | 第26-27页 |
第3章 不饱和有机分子在水饱和的硅(100)表面上的自由基链反应机理 | 第27-39页 |
3.1 引言 | 第27页 |
3.2 计算模型和方法 | 第27-28页 |
3.3 结果与讨论 | 第28-38页 |
3.3.1 水饱和的 Si(100)-(2×1)表面上的两种自由基链反应机理 | 第28-34页 |
3.3.2 被吸附的 O 原子对悬空键的反应性和有机分子在水饱和的 Si(100)-(2×1) 上可能的生长模式产生的影响 | 第34-38页 |
3.4 小结 | 第38-39页 |
第4章 H-Si(100)-(2×1)表面[TM(styrene)]∞(TM = Sc, Ti, V, Cr 和 Mn)一维分子线的结构、电子和磁性性质研究 | 第39-54页 |
4.1 引言 | 第39-40页 |
4.2 计算模型和方法 | 第40-41页 |
4.3 计算结果与讨论 | 第41-52页 |
4.3.1 单分子线的计算结果与讨论 | 第41-49页 |
4.3.2 双分子线的结果与讨论 | 第49-52页 |
4.4 小结 | 第52-54页 |
第5章 结论与展望 | 第54-56页 |
5.1 结论 | 第54-55页 |
5.2 展望 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-65页 |
致谢 | 第65-66页 |
个人简历、攻读学位期间发表论文目录 | 第66页 |