| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 半导体纳米晶 | 第10-14页 |
| 1.2.1 量子点的定义 | 第10-11页 |
| 1.2.2 量子点的表面效应 | 第11页 |
| 1.2.3 量子点的光学性质 | 第11-12页 |
| 1.2.4 量子点的合成和制备 | 第12-14页 |
| 1.3 钙钛矿材料 | 第14-18页 |
| 1.3.1 钙钛矿材料 | 第14页 |
| 1.3.2 钙钛矿量子点 | 第14-18页 |
| 1.4 量子点的光电器件应用 | 第18-21页 |
| 1.4.1 基于传统量子点的发光二极管(QLED) | 第18-19页 |
| 1.4.2 基于钙钛矿量子点电驱动发光二极管(PQLED) | 第19-21页 |
| 1.5 研究内容和创新点 | 第21-23页 |
| 1.5.1 研究内容 | 第21-22页 |
| 1.5.2 创新点 | 第22-23页 |
| 第二章 实验方法和测试仪器 | 第23-28页 |
| 2.1 实验方法 | 第23-26页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第23-24页 |
| 2.1.2 量子点合成 | 第24-25页 |
| 2.1.3 光电器件测制备 | 第25页 |
| 2.1.4 电致发光二极管的性能特征参数 | 第25-26页 |
| 2.2 表征 | 第26-28页 |
| 2.2.1 紫外-可见吸收光谱(UV-Vis) | 第26页 |
| 2.2.2 荧光光谱(PL) | 第26-27页 |
| 2.2.3 时间分辨瞬态荧光(TPL) | 第27页 |
| 2.2.4 X射线晶体衍射(XRD) | 第27页 |
| 2.2.5 透射电镜形貌及其尺寸分析(TEM,HRTEM) | 第27页 |
| 2.2.6 荧光量子产率(QY) | 第27页 |
| 2.2.7 量子点单颗粒测试设备 | 第27页 |
| 2.2.8 电致发光(EL)光谱、亮度-电压曲线(L-V) | 第27-28页 |
| 第三章 室温合成甲脒卤族钙钛矿的光学性质及其发光二极管的应用 | 第28-39页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第29-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 基于常温固态配体提高卤化甲脒钙钛矿量子点稳定性及其电致发光二极管的研究 | 第39-51页 |
| 4.1 引言 | 第39-40页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第40-50页 |
| 4.2.1 室温固体配体钝化量子点表面 | 第40-42页 |
| 4.2.2 FAPbX_3量子点的结构和光学性能 | 第42-44页 |
| 4.2.3 量子点的稳定性 | 第44-47页 |
| 4.2.4 基于室温固态配体协助合成的FAPbBr_3量子点发光二极管 | 第47-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 强配位有机膦配体提高钙钛矿量子点稳定性及其QLED的应用 | 第51-59页 |
| 5.1 引言 | 第51-52页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第52-58页 |
| 5.2.1 TBP-CsPbI_3量子点材料合成及其基本光学表征 | 第52-53页 |
| 5.2.2 TBP-CsPbI_3量子点和OAM-CsPbI_3的稳定性能对比 | 第53-56页 |
| 5.2.3 基本两种钙钛矿量子点发光二极管的性能研究 | 第56-58页 |
| 5.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 6.1 总结 | 第59页 |
| 6.2 展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 研究生期间所发表的论文及专利 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
