| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 功率模块的结温估测研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.2 功率模块故障诊断的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第13-16页 |
| 第二章 IGBT模块结构与失效机理研究 | 第16-21页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 IGBT功率模块的基本结构 | 第16-17页 |
| 2.3 IGBT模块的失效机理研究 | 第17-19页 |
| 2.3.1 封装级失效 | 第18-19页 |
| 2.3.2 芯片级失效 | 第19页 |
| 2.4 IGBT功率模块的失效评判标准 | 第19-20页 |
| 2.5 本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 IGBT模块内部参数提取与建模 | 第21-28页 |
| 3.1 引言 | 第21页 |
| 3.2 IGBT芯片的工作原理 | 第21-23页 |
| 3.2.1 IGBT芯片的工作机理 | 第21-22页 |
| 3.2.2 IGBT芯片的等效电路分析 | 第22-23页 |
| 3.3 IGBT模块内部参数提取与建模 | 第23-26页 |
| 3.4 模型验证 | 第26-27页 |
| 3.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第四章 基于通态V_(ce-on)的IGBT模块结温估测 | 第28-38页 |
| 4.1 引言 | 第28-29页 |
| 4.2 热敏电参数在IGBT模块结温估测中的应用 | 第29-33页 |
| 4.2.1 通态V_(ce-on)的温度依赖性 | 第29-31页 |
| 4.2.2 基于查表法的结温估测 | 第31页 |
| 4.2.3 内部材料电阻对温度的影响 | 第31-33页 |
| 4.3 实验验证及实验结论 | 第33-37页 |
| 4.3.1 实验电路 | 第33-34页 |
| 4.3.2 实验结果 | 第34-36页 |
| 4.3.3 实验结论 | 第36-37页 |
| 4.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第五章 键合线失效机理与预测 | 第38-44页 |
| 5.1 引言 | 第38页 |
| 5.2 IGBT模块故障预测研究 | 第38-39页 |
| 5.3 实验方案 | 第39-40页 |
| 5.4 实验结果与分析 | 第40-43页 |
| 5.4.1 门射极间电压 | 第40-41页 |
| 5.4.2 集射关断电压 | 第41-42页 |
| 5.4.3 集电极电流 | 第42-43页 |
| 5.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第六章 总结与展望 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-50页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |