| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 非易失性存储技术发展状况 | 第13-16页 |
| 1.2.1 FLASH存储器 | 第13-14页 |
| 1.2.2 新型非易失性存储技术 | 第14-16页 |
| 1.3 阻变存储器(RRAM)研究状况 | 第16-22页 |
| 1.3.1 RRAM的单元结构和类型 | 第17-18页 |
| 1.3.2 RRAM的材料体系 | 第18-19页 |
| 1.3.3 阻变作用机理 | 第19-21页 |
| 1.3.4 RRAM器件的导电机制 | 第21-22页 |
| 1.4 本论文的研究意义和主要内容 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-28页 |
| 第二章 制备与表征技术 | 第28-38页 |
| 2.1 RRAM单元材料制备技术 | 第28-32页 |
| 2.1.1 ALD技术 | 第28-31页 |
| 2.1.2 磁控溅射技术 | 第31-32页 |
| 2.2 薄膜表征及电学性能测试技术 | 第32-36页 |
| 2.2.1 俄歇电子能谱 | 第32-33页 |
| 2.2.2 X射线衍射和透射电子显微镜 | 第33-34页 |
| 2.2.3 X射线反射 | 第34-35页 |
| 2.2.4 电学性能测试 | 第35-36页 |
| 2.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第三章 不同温度制备HfO_xN_y薄膜特性及在阻变器件中应用 | 第38-48页 |
| 3.1 不同温度条件原子层沉积HfO_xN_y薄膜及其性能 | 第38-43页 |
| 3.1.1 原子层沉积制备HfO_xN_y薄膜 | 第38-40页 |
| 3.1.2 沉积温度对HfO_xN_y薄膜性质的影响 | 第40-43页 |
| 3.2 不同温度HfO_xN_y薄膜阻变特性 | 第43-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第四章 阻变机理探究及HfO_xN_y/HfO_x叠层对阻变性能优化 | 第48-64页 |
| 4.1 阻变作用机理探究 | 第48-55页 |
| 4.1.1 电流-电压特性 | 第48-53页 |
| 4.1.2 阻变作用模型 | 第53-55页 |
| 4.2 HfO_xN_y/HfO_x叠层对阻变性能优化 | 第55-60页 |
| 4.2.1 单层HfO_x薄膜阻变性能 | 第55-58页 |
| 4.2.2 HfO_xN_y/HfO_x叠层阻变性能 | 第58-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 附录: 硕士期间科研成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
