| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·GaN 基半导体器件发展概况 | 第7-9页 |
| ·LED 电极的研究现状 | 第9-10页 |
| ·本文研究内容 | 第10-11页 |
| 第二章 Ⅲ族氮化物材料的有关性质 | 第11-15页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料的优势 | 第11页 |
| ·GaN 结构及性质 | 第11-13页 |
| ·GaN 材料的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·GaN 材料的基本性质 | 第12-13页 |
| ·GaN 的电学特性与能带 | 第13-15页 |
| ·GaN 的电学特性 | 第13页 |
| ·GaN 的能带结构 | 第13-15页 |
| 第三章 LED 器件基础 | 第15-24页 |
| ·GaN 基LED 器件结构与工艺 | 第15-21页 |
| ·衬底的选择与外延生长 | 第15-17页 |
| ·研磨工艺 | 第17-18页 |
| ·抛光与清洗 | 第18-19页 |
| ·光刻 | 第19-20页 |
| ·金属淀积与合金 | 第20-21页 |
| ·封装测试部分 | 第21页 |
| ·LED 电极的特点 | 第21-24页 |
| ·N 电极的制作 | 第21-22页 |
| ·P 电极的制作 | 第22-24页 |
| 第四章 理论分析与ATLAS 软件模拟 | 第24-39页 |
| ·理论分析 | 第24-26页 |
| ·ATLAS 软件中的方程与物理模型 | 第26-32页 |
| ·基本方程 | 第27-29页 |
| ·边界条件与物理模型 | 第29-32页 |
| ·ATLAS 软件中二维模型的仿真 | 第32-39页 |
| ·单量子阱LED 的器件结构 | 第32页 |
| ·ATLAS 软件分析步骤与物理模型 | 第32-33页 |
| ·模拟结果与分析 | 第33-37页 |
| ·电流扩展长度l 对电流分布的影响 | 第37-39页 |
| 第五章 不同电极结构的ANSYS 三维模拟 | 第39-51页 |
| ·ANSYS 有限元分析软件基本介绍 | 第39-40页 |
| ·LED 结构在ANSYS 模型中的简化 | 第40-41页 |
| ·对常规LED 不同电极的模拟 | 第41-45页 |
| ·种不同电极的常规LED 的电流扩展模拟 | 第41-44页 |
| ·四种不同电极结构的常规LED 阱区电流密度比较 | 第44-45页 |
| ·条形LED 电极的设计与模拟 | 第45-48页 |
| ·设计的三种不同电极的条形LED 的电流扩展模拟 | 第45-47页 |
| ·三种不同电极结构的条形LED 的阱区电流密度比较 | 第47-48页 |
| ·大功率1mm×1mm 的LED 电极的设计与模拟 | 第48-51页 |
| ·功率LED 的四种电极结构 | 第48页 |
| ·四种电极结构的大功率LED 的模拟与比较 | 第48-51页 |
| 结束语 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 研究成果与参加的科研项目 | 第58-59页 |