BI-TE基薄膜的微结构控制生长与热电性能研究
学位论文的主要创新点 | 第3-4页 |
摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-16页 |
1.1 课题背景与意义 | 第10-11页 |
1.2 热电材料的研究现状 | 第11-13页 |
1.3 课题的研究内容 | 第13-16页 |
第二章 热电原理及应用 | 第16-20页 |
2.1 热电原理 | 第16-17页 |
2.1.1 Seebeck效应 | 第16-17页 |
2.1.2 Peltier效应 | 第17页 |
2.1.3 Thomson效应 | 第17页 |
2.2 热电材料的应用 | 第17-18页 |
2.2.1 热电制冷 | 第17-18页 |
2.2.2 温差发电 | 第18页 |
2.2.3 电子散热 | 第18页 |
2.3 热电材料性能提高的方法 | 第18-19页 |
2.4 本章小结 | 第19-20页 |
第三章 热电薄膜的材料制备与性能测试 | 第20-32页 |
3.1 基片的选择、制备与清洗 | 第20-22页 |
3.2 薄膜的磁控溅射沉积 | 第22-25页 |
3.3 薄膜的退火处理 | 第25-26页 |
3.4 薄膜样品的性能测量 | 第26-31页 |
3.4.1 厚度测量 | 第26页 |
3.4.2 霍尔效应测量 | 第26-28页 |
3.4.3 Seebeck系数测量 | 第28-29页 |
3.4.4 XRD测量 | 第29-30页 |
3.4.5 IC显微镜测量 | 第30-31页 |
3.4.6 扫描电子显微镜测量 | 第31页 |
3.5 本章小结 | 第31-32页 |
第四章 磁控溅射制备Bi、Te单层膜的工艺控制 | 第32-62页 |
4.1 基于中心组合设计的实验方案设计 | 第32-36页 |
4.1.1 中心组合设计的基本原理 | 第32-33页 |
4.1.2 中心组合设计的一般步骤 | 第33-36页 |
4.2 中心组合设计方案的实施 | 第36页 |
4.3 单层Bi膜中心组合设计与分析 | 第36-41页 |
4.3.1 溅射速率的拟合 | 第37-38页 |
4.3.2 表面粗糙度的拟合 | 第38-40页 |
4.3.3 电导率的拟合 | 第40-41页 |
4.4 单层Te膜中心组合设计与分析 | 第41-44页 |
4.5 遗传算法对溅射工艺参数的优化 | 第44-50页 |
4.5.1 NSGA-Ⅱ对Bi膜的优化 | 第45-47页 |
4.5.2 NSGA-Ⅱ对Te膜的优化 | 第47-50页 |
4.6 单因素实验优化 | 第50-60页 |
4.6.1 单层Bi膜的单因素实验优化 | 第50-56页 |
4.6.2 单层Te膜的单因素实验优化 | 第56-60页 |
4.7 本章小结 | 第60-62页 |
第五章 Bi-Te多层膜的微观结构及热电性能分析 | 第62-72页 |
5.1 物相组成分析 | 第63页 |
5.2 微观结构分析 | 第63-68页 |
5.3 热电性能分析 | 第68-71页 |
5.4 本章小结 | 第71-72页 |
第六章 结论 | 第72-74页 |
参考文献 | 第74-80页 |
发表论文和参加科研情况 | 第80-82页 |
致谢 | 第82页 |