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BI-TE基薄膜的微结构控制生长与热电性能研究

学位论文的主要创新点第3-4页
摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-16页
    1.1 课题背景与意义第10-11页
    1.2 热电材料的研究现状第11-13页
    1.3 课题的研究内容第13-16页
第二章 热电原理及应用第16-20页
    2.1 热电原理第16-17页
        2.1.1 Seebeck效应第16-17页
        2.1.2 Peltier效应第17页
        2.1.3 Thomson效应第17页
    2.2 热电材料的应用第17-18页
        2.2.1 热电制冷第17-18页
        2.2.2 温差发电第18页
        2.2.3 电子散热第18页
    2.3 热电材料性能提高的方法第18-19页
    2.4 本章小结第19-20页
第三章 热电薄膜的材料制备与性能测试第20-32页
    3.1 基片的选择、制备与清洗第20-22页
    3.2 薄膜的磁控溅射沉积第22-25页
    3.3 薄膜的退火处理第25-26页
    3.4 薄膜样品的性能测量第26-31页
        3.4.1 厚度测量第26页
        3.4.2 霍尔效应测量第26-28页
        3.4.3 Seebeck系数测量第28-29页
        3.4.4 XRD测量第29-30页
        3.4.5 IC显微镜测量第30-31页
        3.4.6 扫描电子显微镜测量第31页
    3.5 本章小结第31-32页
第四章 磁控溅射制备Bi、Te单层膜的工艺控制第32-62页
    4.1 基于中心组合设计的实验方案设计第32-36页
        4.1.1 中心组合设计的基本原理第32-33页
        4.1.2 中心组合设计的一般步骤第33-36页
    4.2 中心组合设计方案的实施第36页
    4.3 单层Bi膜中心组合设计与分析第36-41页
        4.3.1 溅射速率的拟合第37-38页
        4.3.2 表面粗糙度的拟合第38-40页
        4.3.3 电导率的拟合第40-41页
    4.4 单层Te膜中心组合设计与分析第41-44页
    4.5 遗传算法对溅射工艺参数的优化第44-50页
        4.5.1 NSGA-Ⅱ对Bi膜的优化第45-47页
        4.5.2 NSGA-Ⅱ对Te膜的优化第47-50页
    4.6 单因素实验优化第50-60页
        4.6.1 单层Bi膜的单因素实验优化第50-56页
        4.6.2 单层Te膜的单因素实验优化第56-60页
    4.7 本章小结第60-62页
第五章 Bi-Te多层膜的微观结构及热电性能分析第62-72页
    5.1 物相组成分析第63页
    5.2 微观结构分析第63-68页
    5.3 热电性能分析第68-71页
    5.4 本章小结第71-72页
第六章 结论第72-74页
参考文献第74-80页
发表论文和参加科研情况第80-82页
致谢第82页

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