| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-33页 |
| 1.1 集成电路的发展与摩尔定律 | 第10-12页 |
| 1.2 MOS器件等比缩小面临的挑战 | 第12-19页 |
| 1.3 Ge基MOSFET的优势及存在的问题 | 第19-20页 |
| 1.4 Ge MOS器件界面研究进展 | 第20-31页 |
| 1.5 本论文主要研究工作及内容安排 | 第31-33页 |
| 2 Ge MOS器件制备工艺及测试表征方法 | 第33-47页 |
| 2.1 Ge MOS器件的制备工艺 | 第33-36页 |
| 2.2 器件电学特性测试与参数提取 | 第36-42页 |
| 2.3 栅介质薄膜及MOS界面表征方法 | 第42-46页 |
| 2.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 3 稀土锗酸盐形成及其对Ge MOS界面改善研究 | 第47-62页 |
| 3.1 引言 | 第47页 |
| 3.2 La_2O_3和Y_2O_3 Ge MOS界面及氮化研究 | 第47-55页 |
| 3.3 LaON界面钝化层对HfO_2/Ge界面的改善作用 | 第55-60页 |
| 3.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 4 基于LaON的双界面钝化层研究 | 第62-81页 |
| 4.1 引言 | 第62页 |
| 4.2 YON/LaON双界面钝化层研究 | 第62-71页 |
| 4.3 TaON/LaON双界面钝化层研究 | 第71-79页 |
| 4.4 本章小结 | 第79-81页 |
| 5 HfO_2高k层改性对LaON界面钝化层影响的研究 | 第81-99页 |
| 5.1 引言 | 第81页 |
| 5.2 N和Ta掺入HfO_2高k层对界面质量的影响 | 第81-91页 |
| 5.3 F等离子体处理HfO_2高k层对界面质量的影响 | 第91-97页 |
| 5.4 本章小结 | 第97-99页 |
| 6 新型LaTaON高中栅介质研究 | 第99-108页 |
| 6.1 引言 | 第99页 |
| 6.2 实验工艺与样品制备 | 第99-100页 |
| 6.3 实验结果与分析讨论 | 第100-107页 |
| 6.4 本章小结 | 第107-108页 |
| 7 总结与展望 | 第108-112页 |
| 7.1 工作总结与创新点 | 第108-110页 |
| 7.2 工作展望 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-127页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表的论文 | 第127页 |
