目录 | 第3-4页 |
摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 引言 | 第8-12页 |
1.1 能源危机及新能源的开发 | 第8-9页 |
1.2 聚变反应堆遇到的材料学问题 | 第9-10页 |
1.3 反应堆面壁材料的氢脆问题介绍 | 第10-11页 |
1.4 本论文研究的内容 | 第11-12页 |
第二章 理论基础和计算方法 | 第12-18页 |
2.1 第一性原理计算理论基础 | 第12-13页 |
2.2 密度泛函理论(DFT) | 第13-16页 |
2.3 量子计算软件包介绍 | 第16-17页 |
2.4 小结 | 第17-18页 |
第三章 在材料W中掺杂C对H的行为的影响 | 第18-30页 |
3.1 C原子和H原子在材料W中的占位和分布 | 第18-22页 |
3.1.1 材料W的晶格常数的优化 | 第18-19页 |
3.1.2 H在纯W材料中的占位情况及相应的空位形成能 | 第19-21页 |
3.1.3 C原子在W材料中的占位情况及溶解能 | 第21-22页 |
3.2 在材料W中C和H的相互作用 | 第22-26页 |
3.2.1 在材料W中C与H的相互作用 | 第23-24页 |
3.2.2 C的掺杂对空位捕获H的影响 | 第24-26页 |
3.3 在材料W中掺杂C后对H的扩散的影响 | 第26-29页 |
3.4 小结 | 第29-30页 |
第四章 H掺杂对Ti_3SiC_2材料成键的影响 | 第30-36页 |
4.1 H在Ti_3SiC_2材料中的占位情况 | 第31-33页 |
4.2 H在不同间隙位置对Ti_3SiC_2材料的成键的影响 | 第33-35页 |
4.3 小结 | 第35-36页 |
第五章 总结 | 第36-37页 |
参考文献 | 第37-41页 |
在学期间发表论文列表 | 第41-42页 |
致谢 | 第42-43页 |