| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-25页 |
| 1.1 非挥发存储器技术简介及所遇瓶颈 | 第8-10页 |
| 1.2 新型非挥发存储器 | 第10-13页 |
| 1.3 阻变存储器的研究进展 | 第13-24页 |
| 1.3.1 RRAM的材料体系 | 第13-16页 |
| 1.3.2 RRAM的阻变机理研究进展 | 第16-19页 |
| 1.3.3 RRAM存储结构现状 | 第19-21页 |
| 1.3.4 RRAM存在问题以及当前的解决方法 | 第21-24页 |
| 1.4 本论文的主要工作及架构 | 第24-25页 |
| 第二章 Ta_2O_5/TaOx双层阻变存储器结构及集成 | 第25-44页 |
| 2.1 TaOx基RRAM存储结构研究现状 | 第25-26页 |
| 2.2 Ta2O_5/TaOx结构对TaOx基RRAM性能的改善 | 第26-30页 |
| 2.3 电极材料对TaOx基RRAM的影响 | 第30-32页 |
| 2.4 面向高密度的Ta2O5/TaOx结构三维集成方案 | 第32-38页 |
| 2.5 面向嵌入式的Ta2O5/TaOx结构集成方案 | 第38-43页 |
| 2.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 AlOx/WOy阻变存储器数据保持特性及机理研究 | 第44-58页 |
| 3.1 AlOx/WOy阻变存储器集成芯片 | 第46-49页 |
| 3.2 AlOx/WOy RRAM阻变机理及性能 | 第49-54页 |
| 3.2.1 AlOx/WOy RRAM阻变机理 | 第49-50页 |
| 3.2.2 AlOx/WOy RRAM阻变性能 | 第50-54页 |
| 3.3 AlOx/WOy结构数据保持特性分析 | 第54-57页 |
| 3.3.1 操作电压对数据保持特性的影响 | 第54-55页 |
| 3.3.2 操作脉宽对数据保持特性的影响 | 第55-56页 |
| 3.3.3 退火对数据保持特性的影响 | 第56-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 极性对AlOx/WOy阻变存储器操作成品率影响及机理分析 | 第58-67页 |
| 4.1 AlOx/WOy结构中氧分布的表征 | 第58-59页 |
| 4.2 AlOx/WOy器件的导电类型分析 | 第59-61页 |
| 4.3 操作极性对AlOx/WOy结构操作成品率影响分析 | 第61-66页 |
| 4.3.1 AlOx/WOy结构正负操作成品率差异 | 第61-64页 |
| 4.3.2 AlOx/WOy结构正负操作机理分析 | 第64-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
