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C8-BTBT晶体在应力调控下电子结构变化的理论研究

摘要第3-4页
abstract第4-5页
第1章 前言第8-12页
    1.1 引言第8页
    1.2 有机半导体材料的应用第8-10页
        1.2.1 有机发光二极管第8-9页
        1.2.2 有机太阳能电池第9页
        1.2.3 有机场效应晶体管第9-10页
    1.3 有机半导体制备技术第10-11页
        1.3.1 滴涂法第10页
        1.3.2 旋涂法第10-11页
        1.3.3 弯月板辅助法第11页
        1.3.4 打印法第11页
    1.4 本论文研究内容第11-12页
第2章 理论方法第12-23页
    2.1 分子动力学第12-20页
        2.1.1 基本原理第12-13页
        2.1.2 分子力场第13-15页
        2.1.3 积分算法第15-17页
        2.1.4 时间步长第17页
        2.1.5 控温控压方法第17-19页
        2.1.6 周期性边界条件第19-20页
    2.2 密度泛函理论第20-23页
        2.2.1 Hohenberg-Kohn定理第20-21页
        2.2.2 Kohn-Sham方程第21-23页
第3章 应力引发的C_8-BTBT晶体的相变及能带调控第23-38页
    3.1 研究背景第23-24页
    3.2 研究方法第24-28页
        3.2.1 模型建立第24-25页
        3.2.2 分子动力学模拟第25-27页
        3.2.3 能带结构与转移积分的计算第27-28页
    3.3 结果与讨论第28-38页
        3.3.1 C_8-BTBT晶体的力学性质第28-29页
        3.3.2 C_8-BTBT晶体的多相性第29-30页
        3.3.3 能带结构调控第30-35页
        3.3.4 分子堆积形式与转移积分第35-38页
第4章 结论第38-39页
参考文献第39-44页
致谢第44-46页
附录A 温度引发相变过程中的晶格参数及X射线衍射图第46-48页
附录B 非平衡动力学模拟中晶格参数及能量变化第48-50页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第50页

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