| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 碘化亚铜简介 | 第11-12页 |
| 1.3 CuI薄膜的制备方法 | 第12-15页 |
| 1.3.1 连续离子层沉积法制备CuI薄膜 | 第12-13页 |
| 1.3.2 旋涂法法制备CuI薄膜 | 第13-14页 |
| 1.3.3 喷雾法制备CuI薄膜 | 第14-15页 |
| 1.4 CuI在太阳能电池中的应用 | 第15-19页 |
| 1.4.1 CuI在钙钛矿太阳能电池中的应用 | 第15-17页 |
| 1.4.2 CuI在硅(Si)太阳能电池中的应用 | 第17-18页 |
| 1.4.3 CuI在聚合物太阳能电池中的应用 | 第18-19页 |
| 1.5 选题思想和主要内容 | 第19-21页 |
| 第二章 提拉法制备碘化亚铜薄膜 | 第21-31页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 实验部分 | 第21-23页 |
| 2.2.1 主要试剂和化学仪器 | 第21-22页 |
| 2.2.2 主要仪器设备 | 第22页 |
| 2.2.3 碘化亚铜薄膜的制备 | 第22-23页 |
| 2.3 提拉循环次数对CuI薄膜光电特性的影响 | 第23-27页 |
| 2.3.1 不同提拉循环次数制备CuI薄膜的光吸收特性 | 第23-24页 |
| 2.3.2 不同提拉循环次数制备CuI薄膜的金相显微镜图像 | 第24-25页 |
| 2.3.3 不同提拉循环次数制备CuI薄膜的电学特性 | 第25-26页 |
| 2.3.4 不同提拉循环数制备CuI薄膜的XRD | 第26-27页 |
| 2.4 掺杂对提拉法制备的CuI薄膜光电特性的影响 | 第27-30页 |
| 2.4.1 掺杂对CuI薄膜光吸收特性影响 | 第27-28页 |
| 2.4.2 掺杂对CuI薄膜XRD特性影响 | 第28页 |
| 2.4.3 掺杂对CuI薄膜电学特性的影响 | 第28-29页 |
| 2.4.4 掺杂对CuI薄膜表面形貌的影响 | 第29-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 化学气相沉积法制备CuI薄膜 | 第31-41页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 实验部分 | 第31-33页 |
| 3.2.1 主要实验试剂 | 第31页 |
| 3.2.2 主要实验仪器 | 第31-32页 |
| 3.2.3 CuI薄膜的制备 | 第32-33页 |
| 3.3 反应时间对CuI薄膜光电特性的影响 | 第33-37页 |
| 3.3.1 反应时间对CuI薄膜光吸收特性的影响 | 第33-34页 |
| 3.3.2 反应时间对CuI薄膜电学特性的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.3 反应时间对CuI薄膜XRD的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.4 反应时间对CuI薄膜表面形貌的影响 | 第36-37页 |
| 3.4 两种不同方法制备的CuI薄膜的对比 | 第37-39页 |
| 3.4.1 提拉法与化学气相沉积法制备CuI薄膜的光吸收特性比较 | 第37-38页 |
| 3.4.2 提拉法与化学气相沉积法制备CuI薄膜的电学特性比较 | 第38页 |
| 3.4.3 提拉法与化学气相沉积法制备CuI薄膜的表面形貌比较 | 第38-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 CuI/MoS_2异质结的制备和光电特性 | 第41-50页 |
| 4.1 引言 | 第41-42页 |
| 4.2 实验部分 | 第42-45页 |
| 4.2.1 MoS_2薄膜的制备 | 第43-44页 |
| 4.2.2 CuI/ MoS_2异质结的制备 | 第44-45页 |
| 4.3 CuI/ MoS_2异质结的光电特性研究及表征 | 第45-48页 |
| 4.3.1 CuI和MoS_2薄膜的表面形貌表征 | 第45页 |
| 4.3.2 CuI和MoS_2薄膜的晶格结构表征 | 第45-46页 |
| 4.3.3 CuI和MoS_2薄膜的光吸收特性表征 | 第46-47页 |
| 4.3.4 CuI和MoS_2薄膜的电学特性表征 | 第47-48页 |
| 4.3.5 CuI/ MoS_2异质结的光电特性表征 | 第48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 作者简历 | 第58页 |
