| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第11-12页 |
| 1.2 Ⅳ族纳米薄膜国内外研究历史及现状 | 第12-13页 |
| 1.3 纳米薄膜的应用前景 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的主要贡献及创新 | 第14-16页 |
| 第二章 Ⅳ族超薄纳米薄膜的应变特性 | 第16-28页 |
| 2.1 各向同性弹性纳米薄膜 | 第16-17页 |
| 2.2 各向异性弹性纳米薄膜 | 第17-20页 |
| 2.3 超薄应力纳米薄膜的弹性释放 | 第20-22页 |
| 2.4 超薄硅纳米薄膜上锗量子点的生长 | 第22-24页 |
| 2.5 超薄硅纳米薄膜上锗量子点的有序性生长 | 第24-27页 |
| 2.6 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 研究方法 | 第28-35页 |
| 3.1 有限元分析 | 第28-32页 |
| 3.1.1 有限元分析的发展过程 | 第28-29页 |
| 3.1.2 有限元分析的基本原理和求解过程 | 第29-31页 |
| 3.1.3 ANSYS有限元软件包在模拟计算中的应用 | 第31-32页 |
| 3.2 level set方法 | 第32-33页 |
| 3.2.1 level set模拟计算的理论基础 | 第32-33页 |
| 3.3 蒙特卡洛方法 | 第33-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 应变对独立纳米薄膜的作用 | 第35-59页 |
| 4.1 基于有限元ANSYS的应变分析 | 第35-39页 |
| 4.1.1 锗量子点在硅NMs外延生长的应变分析 | 第35-39页 |
| 4.2 超薄纳米薄膜材料的应力与应变的关系 | 第39-43页 |
| 4.2.1 硅纳米薄膜表面及内部应力分布 | 第39-40页 |
| 4.2.2 量子点的相对位置对系统能量分布的影响 | 第40-41页 |
| 4.2.3 应力与薄膜厚度的关系 | 第41-43页 |
| 4.3 基于level set方法的量子点的自组装外延生长程序编写 | 第43-48页 |
| 4.4 量子点外延生长的成核机制 | 第48-50页 |
| 4.5 量子点外延生长 2D模型 | 第50-51页 |
| 4.6 量子点外延有序生长的 3D验证 | 第51-55页 |
| 4.7 硅基锗量子点的有序生长范围 | 第55-58页 |
| 4.8 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 有限元和蒙特卡洛方法研究合金组分分布 | 第59-67页 |
| 5.1 组分分布的动力学因素 | 第59-62页 |
| 5.2 熵的规则溶液壳层计算方法 | 第62-63页 |
| 5.3 不同应力薄膜衬底对半导体合金相分离的影响 | 第63-66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 结论与展望 | 第67-68页 |
| 6.1 全文总结 | 第67页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第73-74页 |