| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 引言 | 第8-23页 |
| 1.1 半导体光催化技术的研究概述 | 第8-11页 |
| 1.1.1 半导体光催化技术简介 | 第8-10页 |
| 1.1.2 半导体光催化技术基本原理 | 第10-11页 |
| 1.2 石墨相氮化碳（g-C_3N_4）的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 g-C_3N_4的性质 | 第11-13页 |
| 1.2.2 g-C_3N_4应用 | 第13-14页 |
| 1.3 g-C3N4纳米光催化剂 | 第14-17页 |
| 1.3.1 g-C_3N_4光催化基本原理 | 第14-15页 |
| 1.3.2 g-C_3N_4光催化影响因素 | 第15-17页 |
| 1.4 g-C_3N_4改性方法 | 第17-20页 |
| 1.4.1 形貌调控 | 第17-18页 |
| 1.4.2 掺杂改性 | 第18-19页 |
| 1.4.3 构建异质结 | 第19-20页 |
| 1.4.4 表面修饰 | 第20页 |
| 1.5 本论文立题的依据及内容意义 | 第20-23页 |
| 1.5.1 立题的依据 | 第20-22页 |
| 1.5.2 研究内容意义 | 第22-23页 |
| 第2章 实验材料及实验方法 | 第23-32页 |
| 2.1 实验试剂和仪器 | 第23-24页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第23-24页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第24页 |
| 2.2 催化剂的表征方法 | 第24-29页 |
| 2.2.1 X-射线衍射 | 第24-25页 |
| 2.2.2 UV-Vis光谱 | 第25-27页 |
| 2.2.3 红外光谱 | 第27页 |
| 2.2.4 N2吸附脱附 | 第27页 |
| 2.2.5 原子力显微镜 | 第27-28页 |
| 2.2.6 X-射线光电子能谱 | 第28页 |
| 2.2.7 稳态表面光电压谱 | 第28-29页 |
| 2.2.8 光电化学测试系统 | 第29页 |
| 2.3 羟基自由自测试 | 第29-30页 |
| 2.4 电化学测试 | 第30页 |
| 2.5 催化剂光催化活性评价 | 第30-32页 |
| 2.5.1 液相降解苯酚 | 第30页 |
| 2.5.2 气相降解乙醛 | 第30-31页 |
| 2.5.3 光催化产氢 | 第31-32页 |
| 第3章 硼酸修饰对g-C_3N_4光催化降解污染物性能影响 | 第32-44页 |
| 3.1 前言 | 第32-33页 |
| 3.2 实验部分 | 第33-34页 |
| 3.2.1 样品制备 | 第33页 |
| 3.2.2 材料表征 | 第33页 |
| 3.2.3 活性测试 | 第33-34页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第34-43页 |
| 3.3.1 结构与组成 | 第34-37页 |
| 3.3.2 光生电荷的分离 | 第37-39页 |
| 3.3.3 光催化活性 | 第39-40页 |
| 3.3.4 机制讨论 | 第40-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 硼酸盐修饰对g-C_3N_4析氢性能影响 | 第44-64页 |
| 4.1 前言 | 第44-45页 |
| 4.2 实验部分 | 第45页 |
| 4.2.1 材料表征 | 第45页 |
| 4.2.2 活性测试 | 第45页 |
| 4.2.3 制备方法 | 第45页 |
| 4.3.硼酸的产氢活性及机制讨论 | 第45-47页 |
| 4.4 Ni~(2+)取代氢离子的产氢活性及机理研究 | 第47-55页 |
| 4.4.1 结构表征 | 第47-49页 |
| 4.4.2 光生电荷的分离 | 第49-50页 |
| 4.4.3 光催化活性 | 第50-53页 |
| 4.4.4 机制讨论 | 第53-55页 |
| 4.5 Fe、Co取代氢离子的产氢活性及机理研究 | 第55-62页 |
| 4.5.1 结构表征 | 第55-57页 |
| 4.5.2 光生电荷的分离 | 第57-58页 |
| 4.5.3 光催化活性 | 第58-60页 |
| 4.5.4 机制讨论 | 第60-62页 |
| 4.6 本章小结 | 第62-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第76页 |
