| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-27页 |
| 1 多孔硅 | 第11-19页 |
| 1.1 多孔硅的制备方法 | 第11-13页 |
| 1.1.1 电化学刻蚀法 | 第11页 |
| 1.1.2 化学刻蚀法 | 第11页 |
| 1.1.3 金属辅助无电镀化学刻蚀法 | 第11-13页 |
| 1.2 多孔硅的表面修饰 | 第13-17页 |
| 1.2.1 多孔硅纳米阵列的金属纳米修饰 | 第14-15页 |
| 1.2.2 硅表面的有机物修饰 | 第15-17页 |
| 1.3 多孔硅的应用 | 第17-19页 |
| 1.3.1 多孔硅在发光器件上的应用 | 第17-18页 |
| 1.3.2 多孔硅在太阳能电池上的应用 | 第18页 |
| 1.3.3 多孔硅在传感器上的应用 | 第18页 |
| 1.3.4 多孔硅在生物医学上的应用 | 第18-19页 |
| 2 硅纳米晶 | 第19-25页 |
| 2.1 硅纳米晶的制备 | 第19-22页 |
| 2.1.1 物理方法 | 第19页 |
| 2.1.2 化学方法 | 第19-21页 |
| 2.1.3 电化学方法 | 第21-22页 |
| 2.2 硅纳米晶的表面修饰 | 第22-23页 |
| 2.3 硅纳米晶的应用 | 第23-25页 |
| 2.3.1 催化方面 | 第23-25页 |
| 2.3.2 生物荧光成像 | 第25页 |
| 3 硅纳米管 | 第25-26页 |
| 4 本课题的研究内容及意义 | 第26-27页 |
| 第二章 多孔硅负载银纳米颗粒的制备及其催化硼氢化钠还原硝基芳香化合物 | 第27-38页 |
| 2.1 试剂与仪器 | 第27-28页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第27-28页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第28页 |
| 2.2 实验步骤与表征 | 第28-29页 |
| 2.2.1 多孔硅的制备 | 第28页 |
| 2.2.2 多孔硅表面沉积银纳米颗粒（AgNPs/PSi） | 第28-29页 |
| 2.2.3 AgNPs/PSi催化NaBH4还原硝基芳香化合物 | 第29页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第29-37页 |
| 2.3.1 多孔硅表面沉积Ag纳米颗粒 | 第29-33页 |
| 2.3.2 Ag NPs/PSi催化硝基芳香化合物的还原 | 第33-36页 |
| 2.3.3 对AgNPs/PSi催化NaBH4还原硝基芳香化合物机理的推测 | 第36-37页 |
| 2.4 小结 | 第37-38页 |
| 第三章 多孔硅表面负载镍纳米颗粒的温和制备及其催化还原硝基芳香化合物 | 第38-44页 |
| 3.1 试剂与仪器 | 第38-39页 |
| 3.1.1 实验试剂 | 第38-39页 |
| 3.1.2 实验仪器 | 第39页 |
| 3.2 实验步骤与表征 | 第39页 |
| 3.2.1 多孔硅表面沉积Ni纳米颗粒 | 第39页 |
| 3.2.2 NiNPs/PSi催化NaBH4还原p-NA和m-NBS | 第39页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第39-43页 |
| 3.3.1 多孔硅表面Ni纳米颗粒的形成 | 第39-41页 |
| 3.3.2 NiNPs/PSi催化p-NA和m-NBS的还原 | 第41-43页 |
| 3.4 小结 | 第43-44页 |
| 第四章 硅片表面荧光硅量子点的制备及N-羟基丁二酰亚胺对其表面的活化 | 第44-53页 |
| 4.1 试剂与仪器 | 第44-46页 |
| 4.1.1 实验试剂 | 第44页 |
| 4.1.2 实验仪器 | 第44-46页 |
| 4.2 实验步骤与表征 | 第46-47页 |
| 4.2.1 硅片表面荧光硅量子点的制备 | 第46页 |
| 4.2.2 SiQDs/Si表面的化学修饰 | 第46页 |
| 4.2.3 反应产物的表征 | 第46-47页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第47-52页 |
| 4.3.1 硅片表面荧光硅量子点的生长 | 第47-48页 |
| 4.3.2 SiQDs/Si的化学修饰 | 第48-52页 |
| 4.4 小结 | 第52-53页 |
| 第五章 荧光硅量子点表面接枝PEGMA聚合物刷的构筑及其荧光稳定性研究 | 第53-62页 |
| 5.1 试剂与仪器 | 第53-54页 |
| 5.1.1 实验试剂 | 第53页 |
| 5.1.2 实验仪器 | 第53-54页 |
| 5.2 实验步骤与表征 | 第54-55页 |
| 5.2.1 Si/SiQDs表面的接枝聚合物修饰 | 第54-55页 |
| 5.2.2 反应产物的表征 | 第55页 |
| 5.2.3 Si/SiQDs-UO-BMPB-g-P(PEGMA)的荧光稳定性测定 | 第55页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第55-60页 |
| 5.3.1 硅片表面荧光硅量子点的制备 | 第55-57页 |
| 5.3.2 Si/SiQDs表面的接枝聚合物修饰 | 第57-60页 |
| 5.3.3 Si/SiQDs-UO-BMPB-g-P(PEGMA)的荧光稳定性 | 第60页 |
| 5.4 小结 | 第60-62页 |
| 第六章 硅基底上硅纳米管的制备 | 第62-67页 |
| 6.1 试剂与仪器 | 第62-63页 |
| 6.1.1 实验试剂 | 第62页 |
| 6.1.2 实验仪器 | 第62-63页 |
| 6.2 实验步骤与表征 | 第63页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第63-66页 |
| 6.3.1 硅基底表面金属Co的沉积 | 第63-64页 |
| 6.3.2 硅基底表面SiNTs的获得 | 第64-66页 |
| 6.4 小结 | 第66-67页 |
| 第七章 总结与展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-79页 |
| 在学期间发表论文 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
