| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 兰科植物的组培研究与进展 | 第11-13页 |
| 1.2.2 培养基的选择 | 第12-13页 |
| 1.2.4 其他影响因素 | 第13页 |
| 1.3 兰科植物的试管开花研究与进展 | 第13-18页 |
| 1.3.1 兰科植物的试管开花研究现状 | 第13-17页 |
| 1.3.2 石斛属植物的试管开花研究与进展 | 第17-18页 |
| 1.4 辐射诱变研究进展 | 第18-20页 |
| 1.4.1 辐射诱变育种研究进展 | 第18-19页 |
| 1.4.2 辐射诱变应用于兰科植物育种中的研究 | 第19-20页 |
| 1.4.3 辐射育种特点 | 第20页 |
| 1.5 研究内容、技术路线及意义 | 第20-22页 |
| 1.5.1 研究内容 | 第20-21页 |
| 1.5.2 技术路线 | 第21页 |
| 1.5.3 目的意义 | 第21-22页 |
| 第二章 兰花的组织培养与试管开花 | 第22-33页 |
| 2.1 材料与方法 | 第22-26页 |
| 2.1.1 材料 | 第22页 |
| 2.1.2 仪器和试剂 | 第22-23页 |
| 2.1.3 培养基和培养条件 | 第23页 |
| 2.1.4 方法 | 第23-26页 |
| 2.2 结果与分析 | 第26-31页 |
| 2.2.1 霍山石斛的组织培养与试管开花 | 第26-30页 |
| 2.2.2 树兰组织培养与试管开花 | 第30-31页 |
| 2.3 讨论 | 第31-33页 |
| 2.3.1 6-BA+2,4-D对霍山石斛花芽诱导 | 第31页 |
| 2.3.2 TDZ对霍山石斛花芽诱导 | 第31-32页 |
| 2.3.3 ZT对霍山石斛花芽诱导 | 第32页 |
| 2.3.4 试管开花在材料上的探索 | 第32-33页 |
| 第三章 ~(60)Co-γ射线对树兰Epidnedium sp.辐射诱变效应的研究 | 第33-48页 |
| 3.1 材料与方法 | 第33-36页 |
| 3.1.1 实验材料 | 第33页 |
| 3.1.2 仪器和试剂 | 第33页 |
| 3.1.3 培养基和培养条件 | 第33-34页 |
| 3.1.4 方法 | 第34-36页 |
| 3.2 结果与分析 | 第36-45页 |
| 3.2.1 辐射处理后树兰种子萌发的时间和萌发率 | 第36页 |
| 3.2.2 辐射后种子的致死率 | 第36-37页 |
| 3.2.3 半致死剂量的确定 | 第37-38页 |
| 3.2.4 辐射处理对树兰再生植株的辐射效应 | 第38-45页 |
| 3.3 讨论 | 第45-48页 |
| 3.3.1 辐射材料的选择 | 第45页 |
| 3.3.2 树兰植株的半致死剂量确定 | 第45-46页 |
| 3.3.3 辐射处理对再生植株的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.4 辐射处理在试管开花中的应用 | 第47-48页 |
| 第四章 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 附录 | 第54-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 详细摘要 | 第58-60页 |