| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 序言 | 第8-11页 |
| 1 引言 | 第11-22页 |
| 1.1 自愈合陶瓷材料的研究现状及意义 | 第11-13页 |
| 1.2 M_(n+1)AX_n相三元层状陶瓷裂纹愈合研究 | 第13-18页 |
| 1.2.1 MAX陶瓷材料裂纹愈合研究现状及机制 | 第13-18页 |
| 1.3 Ti_2SnC陶瓷材料的结构与性能及应用前景 | 第18-20页 |
| 1.3.1 Ti_2SnC的结构与性能 | 第18-20页 |
| 1.3.2 Ti_2SnC的应用前景 | 第20页 |
| 1.4 Ti_2SnC真空愈合的研究内容、目的及意义 | 第20-22页 |
| 2 Ti_2SnC块体材料的制备与表征 | 第22-28页 |
| 2.1 材料测试分析方法 | 第22-24页 |
| 2.1.1 密度测试 | 第22-23页 |
| 2.1.2 弯曲强度测试 | 第23页 |
| 2.1.3 相组成分析 | 第23页 |
| 2.1.4 微观结构分析 | 第23-24页 |
| 2.2 Ti_2SnC块体材料的制备 | 第24-25页 |
| 2.3 Ti_2SnC样品的表征 | 第25-27页 |
| 2.4 小结 | 第27-28页 |
| 3 裂纹引入对Ti_2SnC电导率的影响 | 第28-43页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 不同热震温度对Ti_2SnC电导率的影响 | 第28-42页 |
| 3.2.1 初始电导率的测量 | 第29-30页 |
| 3.2.2 残余电导率的测量 | 第30-33页 |
| 3.2.3 异常电导率恢复机制 | 第33-42页 |
| 3.3 小结 | 第42-43页 |
| 4 Ti_2SnC陶瓷在真空环境中裂纹愈合研究 | 第43-58页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 Ti_2SnC真空愈合后电导率变化 | 第43-45页 |
| 4.2.1 实验过程 | 第43-44页 |
| 4.2.2 真空愈合后电导率变化 | 第44-45页 |
| 4.3 Ti_2SnC真空愈合后微观结构分析 | 第45-56页 |
| 4.3.1 600℃真空愈合后裂纹微观结构分析 | 第46-48页 |
| 4.3.2 800℃真空愈合后裂纹微观结构分析 | 第48-52页 |
| 4.3.3 1000℃真空愈合后裂纹微观结构分析 | 第52-56页 |
| 4.4 Ti_2SnC在真空中的裂纹愈合机制 | 第56-57页 |
| 4.5 小结 | 第57-58页 |
| 5 真空愈合后Ti_2SnC弯曲强度的变化 | 第58-61页 |
| 5.1 实验过程 | 第58页 |
| 5.2 真空愈合温度对弯曲强度恢复的影响 | 第58-60页 |
| 5.3 小结 | 第60-61页 |
| 6 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 索引 | 第66-67页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第67-69页 |
| 学位论文数据集 | 第69页 |
