| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 专用术语注释表 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-37页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 有机电子学 | 第13-14页 |
| 1.3 有机电致发光器件 | 第14-17页 |
| 1.3.1 有机电致发光现象 | 第14-15页 |
| 1.3.2 有机电致发光器件的发展历史 | 第15-16页 |
| 1.3.3 有机电致发光器件的基本原理 | 第16-17页 |
| 1.4 实现高效的有机电致发光途径 | 第17-25页 |
| 1.4.1 有机电致磷光发光器件 | 第18-20页 |
| 1.4.2 三线态-三线态湮灭 | 第20-22页 |
| 1.4.3 杂化局域电荷转移 | 第22-23页 |
| 1.4.4 热活化延迟荧光材料 | 第23-25页 |
| 1.5 含硅的主体材料在有机电致发光器件中的应用 | 第25-30页 |
| 1.5.1 含硅类小分子主体材料 | 第26页 |
| 1.5.2 含硅类衍生物的主体材料 | 第26-30页 |
| 1.6 本论文设计思路 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-37页 |
| 第二章 氮硅主体材料的设计、合成及器件性能研究 | 第37-58页 |
| 2.1 引言 | 第37-38页 |
| 2.2 设计思路 | 第38页 |
| 2.3 实验部分 | 第38-43页 |
| 2.3.1 主要药品和试剂 | 第38-39页 |
| 2.3.2 实验仪器和方法 | 第39页 |
| 2.3.3 理论计算 | 第39-40页 |
| 2.3.4 电致发光器件制备 | 第40页 |
| 2.3.5 材料合成与表征 | 第40-43页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第43-55页 |
| 2.4.1 氮硅主体材料的合成与结构表征 | 第43页 |
| 2.4.2 氮硅主体材料的单晶性质 | 第43-45页 |
| 2.4.3 氮硅主体材料的热学性质 | 第45-47页 |
| 2.4.4 氮硅主体材料的光物理性质 | 第47-48页 |
| 2.4.5 氮硅主体材料的三线态能级 | 第48-49页 |
| 2.4.6 氮硅主体材料的电化学性质 | 第49-50页 |
| 2.4.7 氮硅主体材料的量子化学计算 | 第50-51页 |
| 2.4.8 氮硅主体材料的电致发光器件性能 | 第51-55页 |
| 2.5 本章小结 | 第55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第三章 三苯基硅修饰的主体材料设计、合成及性能研究 | 第58-75页 |
| 3.1 引言 | 第58-59页 |
| 3.2 设计思路 | 第59页 |
| 3.3 实验部分 | 第59-63页 |
| 3.3.1 主要药品和试剂 | 第59-60页 |
| 3.3.2 实验仪器和方法 | 第60页 |
| 3.3.3 理论计算 | 第60-61页 |
| 3.3.4 电致发光器件制备 | 第61页 |
| 3.3.5 材料合成与表征 | 第61-63页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第63-72页 |
| 3.4.1 三苯基硅修饰的氮硅主体材料的合成与结构表征 | 第63-64页 |
| 3.4.2 三苯基硅修饰的氮硅主体材料的热学性质 | 第64-65页 |
| 3.4.3 三苯基硅修饰的氮硅主体材料的光物理性质 | 第65-67页 |
| 3.4.4 三苯基硅修饰的氮硅主体材料的三线态能级 | 第67页 |
| 3.4.5 三苯基硅修饰的氮硅主体材料的电化学性质 | 第67-68页 |
| 3.4.6 三苯基硅修饰的氮硅主体材料的量子化学计算 | 第68-70页 |
| 3.4.7 三苯基硅修饰的氮硅主体材料的电致发光器件性能 | 第70-72页 |
| 3.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 第四章 选择性调控三线态激子形成截面提高蓝色电致磷光器件效率 | 第75-105页 |
| 4.1 引言 | 第75-76页 |
| 4.2 设计思路 | 第76-77页 |
| 4.3 实验部分 | 第77-84页 |
| 4.3.1 主要药品和试剂 | 第77-78页 |
| 4.3.2 实验仪器和方法 | 第78页 |
| 4.3.3 理论计算 | 第78-82页 |
| 4.3.4 电致发光器件制备 | 第82-83页 |
| 4.3.5 SiPCz材料合成与表征 | 第83-84页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第84-100页 |
| 4.4.1 SiPCz合成与结构表征 | 第84-85页 |
| 4.4.2 SiPCz主体材料的热学性质 | 第85-86页 |
| 4.4.3 SiPCz主体材料的形貌 | 第86-87页 |
| 4.4.4 SiPCz主体材料的光物理性质 | 第87-88页 |
| 4.4.5 SiPCz主体材料的三线态能级 | 第88-89页 |
| 4.4.6 SiPCz主体材料的电化学性质 | 第89-91页 |
| 4.4.7 SiPCz主体材料的量子化学计算 | 第91-94页 |
| 4.4.8 SiPCz主体材料的电致发光器件性能 | 第94-98页 |
| 4.4.9 SiPCz主体材料的电致发光荧光器件性质 | 第98-100页 |
| 4.4.10 SiPCz主体材料的器件性能结果讨论 | 第100页 |
| 4.5 本章小结 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-105页 |
| 第五章 新型硅嗪的设计、合成及器件性能研究 | 第105-130页 |
| 5.1 引言 | 第105-106页 |
| 5.2 设计思路 | 第106-107页 |
| 5.3 实验部分 | 第107-113页 |
| 5.3.1 主要药品和试剂 | 第107-108页 |
| 5.3.2 实验仪器和方法 | 第108-109页 |
| 5.3.3 理论计算 | 第109-110页 |
| 5.3.4 电致发光器件制备 | 第110页 |
| 5.3.5 材料合成与表征 | 第110-113页 |
| 5.4 结果与讨论 | 第113-125页 |
| 5.4.1 合成、结构表征及反应机理图 | 第113-114页 |
| 5.4.2 硅嗪衍生物的单晶分析 | 第114-116页 |
| 5.4.3 硅嗪衍生物的热学性质 | 第116-117页 |
| 5.4.4 硅嗪衍生物的形貌 | 第117页 |
| 5.4.5 硅嗪衍生物的光物理性质 | 第117-119页 |
| 5.4.6 硅嗪衍生物的电化学性质 | 第119-120页 |
| 5.4.7 硅嗪衍生物的量子化学计算 | 第120-122页 |
| 5.4.8 硅嗪衍生物的三线态能级 | 第122-123页 |
| 5.4.9 硅嗪衍生物的电致发光器件性能 | 第123-125页 |
| 5.5 本章小结 | 第125页 |
| 参考文献 | 第125-130页 |
| 第六章 硅原子调节聚合物的电荷传输性能及纳米保险丝器件 | 第130-151页 |
| 6.1 引言 | 第130页 |
| 6.2 设计思路 | 第130-132页 |
| 6.3 实验部分 | 第132-135页 |
| 6.3.1 主要药品和试剂 | 第132页 |
| 6.3.2 实验仪器和方法 | 第132-133页 |
| 6.3.3 理论计算 | 第133-134页 |
| 6.3.4 电致发光器件制备 | 第134页 |
| 6.3.5 材料合成与表征 | 第134-135页 |
| 6.4 结果与讨论 | 第135-147页 |
| 6.4.1 合成与结构表征 | 第135-136页 |
| 6.4.2 聚乙烯基甲基硅芴的热力学性质 | 第136-137页 |
| 6.4.3 聚乙烯基甲基硅芴的形貌 | 第137页 |
| 6.4.4 聚乙烯基甲基硅芴的电化学性质 | 第137-138页 |
| 6.4.5 聚乙烯基甲基硅芴的纳米保险丝性能 | 第138-140页 |
| 6.4.6 聚乙烯基甲基硅芴的光物理性质 | 第140-141页 |
| 6.4.7 聚乙烯基甲基硅芴的量子化学计算 | 第141-144页 |
| 6.4.8 聚乙烯基甲基硅芴的分子动力学研究 | 第144-145页 |
| 6.4.9 聚乙烯基甲基硅芴的纳米保险丝器件机理讨论 | 第145-147页 |
| 6.5 本章小结 | 第147-148页 |
| 参考文献 | 第148-151页 |
| 第七章 总结与展望 | 第151-153页 |
| 附录1 部分化学物的核磁和质谱 | 第153-165页 |
| 附录2 攻读博士学位期间撰写的论文 | 第165-167页 |
| 附录3 攻读博士学位期间参加的科研项目 | 第167-168页 |
| 致谢 | 第168-169页 |
