| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第18-30页 |
| 1.1 课题背景 | 第18页 |
| 1.2 镁合金的典型应用 | 第18-19页 |
| 1.2.1 在国防军工上的应用 | 第18-19页 |
| 1.2.2 在航空航天工业上的应用 | 第19页 |
| 1.2.3 在汽车工业上的应用 | 第19页 |
| 1.2.4 在轻工业上的应用 | 第19页 |
| 1.3 镁合金腐蚀的基本类型 | 第19-20页 |
| 1.3.1 电偶腐蚀 | 第20页 |
| 1.3.2 点蚀与丝状腐蚀 | 第20页 |
| 1.3.3 应力腐蚀 | 第20页 |
| 1.3.4 疲劳腐蚀 | 第20页 |
| 1.4 镁合金防蚀处理技术 | 第20-22页 |
| 1.4.1 开发高纯合金或新合金 | 第21页 |
| 1.4.2 快速凝固技术 | 第21页 |
| 1.4.3 表面防护技术 | 第21-22页 |
| 1.5 镁合金微弧氧化处理技术 | 第22-28页 |
| 1.5.1 微弧氧化技术工作原理 | 第22页 |
| 1.5.2 微弧氧化技术特点 | 第22-23页 |
| 1.5.3 镁合金微弧氧化技术发展现状 | 第23-27页 |
| 1.5.4 镁合金微弧氧化存在的问题及发展方向 | 第27-28页 |
| 1.6 本课题主要研究内容及技术路线 | 第28-30页 |
| 1.6.1 主要研究内容 | 第28-29页 |
| 1.6.2 研究的技术路线 | 第29-30页 |
| 第2章 试验材料及方法 | 第30-34页 |
| 2.1 试验材料 | 第30页 |
| 2.1.1 基体材料 | 第30页 |
| 2.1.2 化学试剂 | 第30页 |
| 2.2 微弧氧化膜层的制备 | 第30-31页 |
| 2.2.1 试验准备 | 第30页 |
| 2.2.2 微弧氧化膜层的制备 | 第30-31页 |
| 2.3 镁合金微弧氧化膜层的表征方法 | 第31-34页 |
| 2.3.1 膜层外观检查 | 第31页 |
| 2.3.2 膜层厚度 | 第31-32页 |
| 2.3.3 膜层粗糙度 | 第32页 |
| 2.3.4 膜层微观形貌及成分 | 第32页 |
| 2.3.5 膜层相结构 | 第32页 |
| 2.3.6 膜层硬度 | 第32页 |
| 2.3.7 膜层耐蚀性 | 第32页 |
| 2.3.8 膜层耐磨性 | 第32-33页 |
| 2.3.9 膜层润湿性 | 第33页 |
| 2.3.10 膜层结合力 | 第33-34页 |
| 第3章 镁合金微弧氧化复合电解液组分的研究 | 第34-65页 |
| 3.1 电解液基础成分的选择 | 第34-36页 |
| 3.1.1 电解液主成分的初选 | 第34-35页 |
| 3.1.2 添加剂的初选 | 第35-36页 |
| 3.2 电解液组分单因素对镁合金微弧氧化行为的影响 | 第36-59页 |
| 3.2.1 铝酸钠浓度对镁合金微弧氧化行为的影响 | 第36-41页 |
| 3.2.2 硅酸钠浓度对镁合金微弧氧化行为的影响 | 第41-45页 |
| 3.2.3 四硼酸钠浓度对镁合金微弧氧化行为的影响 | 第45-49页 |
| 3.2.4 氢氧化钠浓度对镁合金微弧氧化行为的影响 | 第49-52页 |
| 3.2.5 丙三醇浓度对镁合金微弧氧化行为的影响 | 第52-56页 |
| 3.2.6 柠檬酸钠浓度对镁合金微弧氧化行为的影响 | 第56-59页 |
| 3.3 电解液组分的正交优化试验 | 第59-63页 |
| 3.3.1 正交优化试验设计 | 第59-61页 |
| 3.3.2 正交优化试验结果分析 | 第61-63页 |
| 3.4 电解液组分较优配方工艺的验证试验 | 第63页 |
| 3.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 第4章 镁合金微弧氧化电源输出参数的研究 | 第65-85页 |
| 4.1 电源输出参数单因素对镁合金微弧氧化行为的影响 | 第65-81页 |
| 4.1.1 电流密度对镁合金微弧氧化行为的影响 | 第65-69页 |
| 4.1.2 脉冲频率对镁合金微弧氧化行为的影响 | 第69-73页 |
| 4.1.3 占空比对镁合金微弧氧化行为的影响 | 第73-77页 |
| 4.1.4 氧化时间对镁合金微弧氧化行为的影响 | 第77-81页 |
| 4.2 电源输出参数正交优化试验 | 第81-83页 |
| 4.2.1 正交优化试验的设计 | 第81-82页 |
| 4.2.2 正交优化试验的数据分析 | 第82-83页 |
| 4.3 本章小结 | 第83-85页 |
| 第5章 镁合金微弧氧化电源工作模式的研究 | 第85-92页 |
| 5.1 电源工作模式对微弧氧化过程电压的影响 | 第85-86页 |
| 5.2 电源工作模式对膜层微观结构的影响 | 第86-87页 |
| 5.3 电源工作模式对膜层厚度和不均匀度的影响 | 第87-88页 |
| 5.4 电源工作模式对膜层耐蚀性的影响 | 第88-91页 |
| 5.4.1 极化曲线 | 第88-89页 |
| 5.4.2 交流阻抗谱 | 第89-91页 |
| 5.5 本章小结 | 第91-92页 |
| 第6章 镁合金碳化硅颗粒与微弧氧化技术复合膜层的研究 | 第92-101页 |
| 6.1 碳化硅浓度对微弧氧化过程中电压的影响 | 第92-93页 |
| 6.2 碳化硅浓度对微弧氧化膜层形貌的影响 | 第93-97页 |
| 6.2.1 对微弧氧化膜层表面宏观形貌的影响 | 第93-94页 |
| 6.2.2 对微弧氧化膜层表面微观形貌的影响 | 第94-96页 |
| 6.2.3 对微弧氧化膜层截面微观形貌的影响 | 第96-97页 |
| 6.3 碳化硅浓度对微弧氧化膜层厚度及不均匀度的影响 | 第97-98页 |
| 6.4 碳化硅浓度对微弧氧化膜耐蚀性的影响 | 第98-100页 |
| 6.4.1 腐蚀速率 | 第98-99页 |
| 6.4.2 极化曲线 | 第99-100页 |
| 6.5 本章小结 | 第100-101页 |
| 第7章 镁合金微弧氧化机理及膜层生长规律的探讨 | 第101-113页 |
| 7.1 微弧氧化机理 | 第101-102页 |
| 7.2 微弧氧化膜层生长规律 | 第102-106页 |
| 7.3 微弧氧化膜层表面与截面元素分析 | 第106-110页 |
| 7.3.1 单一膜层表面及截面元素分析 | 第106-108页 |
| 7.3.2 微弧氧化复合膜层表面元素分析 | 第108-110页 |
| 7.4 工艺参数对微弧氧化膜层相结构的影响 | 第110-112页 |
| 7.5 本章小结 | 第112-113页 |
| 第8章 镁合金微弧氧化单一膜层与复合膜层特性的研究 | 第113-123页 |
| 8.1 膜层宏观形貌 | 第113页 |
| 8.2 膜层微观形貌 | 第113-114页 |
| 8.3 膜层厚度与孔隙率 | 第114-115页 |
| 8.4 膜层相组成 | 第115-116页 |
| 8.5 膜层与基体结合强度 | 第116-117页 |
| 8.6 膜层显微硬度 | 第117页 |
| 8.7 膜层润湿性能 | 第117-118页 |
| 8.8 膜层耐蚀性 | 第118-120页 |
| 8.8.1 极化曲线 | 第118-119页 |
| 8.8.2 电化学阻抗谱 | 第119-120页 |
| 8.9 膜层耐磨性 | 第120-122页 |
| 8.9.1 膜层磨损表面形貌 | 第120-121页 |
| 8.9.2 膜层磨损性能 | 第121-122页 |
| 8.10 本章小结 | 第122-123页 |
| 结论 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-136页 |
| 致谢 | 第136-137页 |
| 攻读博士期间发表的论文 | 第137页 |
