摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
符号对照表 | 第16-18页 |
缩略语对照表 | 第18-23页 |
第一章 绪论 | 第23-35页 |
1.1 非易失性存储器研究进展 | 第23-32页 |
1.1.1 闪存(Flash) | 第24-27页 |
1.1.2 铁电存储器(FeRAM) | 第27-28页 |
1.1.3 磁阻存储器(MRAM) | 第28-29页 |
1.1.4 相变存储器(PCRAM) | 第29-30页 |
1.1.5 阻变存储器(RRAM) | 第30-32页 |
1.2 本文主要工作和安排 | 第32-35页 |
第二章 阻变存储器RRAM概述 | 第35-49页 |
2.1 RRAM器件研究进展 | 第35-36页 |
2.2 RRAM器件的材料体系 | 第36-41页 |
2.2.1 钙钛矿氧化物 | 第36-37页 |
2.2.2 有机材料 | 第37-39页 |
2.2.3 固体电解质材料 | 第39页 |
2.2.4 氮化物 | 第39-40页 |
2.2.5 新型纳米材料-石墨烯 | 第40-41页 |
2.2.6 二元金属氧化物 | 第41页 |
2.3 RRAM器件存储机理 | 第41-47页 |
2.3.1 界面势垒调制机制 | 第42-43页 |
2.3.2 细丝形成/断裂机制 | 第43-47页 |
2.4 RRAM器件导电机制 | 第47页 |
2.5 本章小结 | 第47-49页 |
第三章 基于氧化锆薄膜RRAM器件阻变特性研究 | 第49-75页 |
3.1 Ti/ZrO_2/Pt RRAM器件阻变特性 | 第49-58页 |
3.1.1 器件结构及基本阻变I-V特性 | 第49-50页 |
3.1.2 疲劳特性和保持特性 | 第50-51页 |
3.1.3 电阻转变及导电机制分析 | 第51-54页 |
3.1.4 器件电容特性 | 第54-57页 |
3.1.5 电流驱动电阻转变 | 第57-58页 |
3.2 电学参数对器件阻变特性的影响 | 第58-64页 |
3.2.1 SET限制电流对阻变特性的影响 | 第58-62页 |
3.2.2 RESET扫描截止电压对阻变特性的影响 | 第62-64页 |
3.3 不同上电极器件的阻变特性 | 第64-72页 |
3.3.1 Pt/Zr O_2/Pt RRAM器件阻变特性 | 第64-67页 |
3.3.2 Ni/ZrO_2/Pt与Cu/ZrO_2/Pt RRAM器件阻变特性 | 第67-72页 |
3.4 本章小结 | 第72-75页 |
第四章 RRAM器件温度与电应力特性研究 | 第75-93页 |
4.1 Ti/ZrO_2/Pt RRAM器件温度特性研究 | 第75-80页 |
4.1.1 温度对器件初始态电阻的影响 | 第75页 |
4.1.2 温度对Forming过程的影响 | 第75-77页 |
4.1.3 温度对器件高/低阻态电阻的影响 | 第77-78页 |
4.1.4 温度对器件转换参数的影响 | 第78-80页 |
4.2 高温Forming对器件性能的改善 | 第80-85页 |
4.2.1 器件RESET电流不稳定现象 | 第80-82页 |
4.2.2 高温Forming改善器件性能 | 第82-85页 |
4.3 电应力对器件性能的影响 | 第85-90页 |
4.3.1 扫描电压应力 | 第85-88页 |
4.3.2 恒定电压应力 | 第88-90页 |
4.4 本章小结 | 第90-93页 |
第五章 基于氧空位导电的RRAM器件建模与仿真 | 第93-111页 |
5.1 基于氧空位导电的RRAM器件电-热耦合模型 | 第93-99页 |
5.1.1 早先的RRAM器件模型 | 第93页 |
5.1.2 器件的电-热耦合物理模型 | 第93-95页 |
5.1.3 器件 2-D轴对称有限元电-热耦合模型 | 第95-99页 |
5.2 器件RESET过程仿真 | 第99-103页 |
5.2.1 器件RESET过程I-V特性仿真 | 第99页 |
5.2.2 RESET过程不同偏置下器件特性仿真 | 第99-103页 |
5.3 器件SET过程仿真 | 第103-106页 |
5.3.1 器件SET过程I-V特性仿真 | 第103-104页 |
5.3.2 SET过程不同偏置下器件特性仿真 | 第104-105页 |
5.3.3 对电-热耦合模型的验证 | 第105-106页 |
5.4 影响器件阻变特性的关键因素 | 第106-110页 |
5.4.1 温度的影响 | 第106-107页 |
5.4.2 导电细丝尺寸的影响 | 第107页 |
5.4.3 电极热导率的影响 | 第107-109页 |
5.4.4 电极电导率的影响 | 第109-110页 |
5.5 本章小结 | 第110-111页 |
第六章 基于氮化硅薄膜RRAM器件 | 第111-123页 |
6.1 Si_3N_4-RRAM器件的制备工艺 | 第111-114页 |
6.1.1 Si_3N_4薄膜生长技术 | 第111-113页 |
6.1.2 Ti/Si_3N_4/Au RRAM器件的制备 | 第113-114页 |
6.2 Ti/Si_3N_4/Au RRAM器件的阻变特性 | 第114-118页 |
6.2.1 器件的电学特性 | 第114-116页 |
6.2.2 器件导电机制分析 | 第116-118页 |
6.3 Ti/Al_2O_3-Si_3N_4/Au RRAM器件的阻变特性 | 第118-122页 |
6.3.1 器件的制备工艺 | 第119-120页 |
6.3.2 器件电学特性与导电机制分析 | 第120-122页 |
6.4 本章小结 | 第122-123页 |
第七章 结束语 | 第123-127页 |
7.1 本文的主要结论 | 第123-125页 |
7.2 未来的工作展望 | 第125-127页 |
参考文献 | 第127-145页 |
致谢 | 第145-147页 |
作者简介 | 第147-149页 |