| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 GaN HEMT的应用及发展 | 第17-19页 |
| 1.2 GaN HEMT耐压机理的研究意义 | 第19-20页 |
| 1.3 GaN HEMT常见的击穿机制 | 第20-24页 |
| 1.3.1 缓冲层泄漏电流引起器件击穿的机制 | 第20页 |
| 1.3.2 栅极泄漏电流引起器件击穿机制 | 第20-22页 |
| 1.3.3 GaN HEMT泄漏电流影响因素及改善方法 | 第22-23页 |
| 1.3.4 GaN HEMT耐压研究现状及进展 | 第23-24页 |
| 1.4 论文内容 | 第24-25页 |
| 第二章 GaN HEMT器件物理 | 第25-33页 |
| 2.1 GaN HEMT的结构和工作原理 | 第25-27页 |
| 2.1.1 标准GaN HEMT工艺流程 | 第25-26页 |
| 2.1.2 GaN HEMT器件工作原理 | 第26-27页 |
| 2.2 GaN HEMT仿真建模用到的物理模型 | 第27-29页 |
| 2.2.1 能带模型和异质结结构 | 第27-28页 |
| 2.2.2 迁移率模型 | 第28-29页 |
| 2.2.3 二维电子气模型 | 第29页 |
| 2.3 器件建模工具-Atlas介绍 | 第29-30页 |
| 2.4 AlGaN/GaN HEMTs关态击穿电压表征方法 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 不同沟道厚度GaN HEMTs耐压机理研究 | 第33-51页 |
| 3.1 不同GaN沟道厚度器件耐压及可靠性实验 | 第33-42页 |
| 3.1.1 不同GaN沟道厚度器件的研制 | 第33-34页 |
| 3.1.2 不同沟道厚度器件的直流Ⅰ-Ⅴ特性 | 第34-36页 |
| 3.1.3 不同沟道厚度器件的脉冲Ⅰ-Ⅴ特性——电流崩塌 | 第36-37页 |
| 3.1.4 测试不同沟道厚度器件击穿特性 | 第37-41页 |
| 3.1.5 温度对于器件漏电和耐压的影响 | 第41-42页 |
| 3.2 ATLAS建立GaN HEMT器件仿真模型 | 第42-45页 |
| 3.2.1 器件电学特性仿真流程 | 第42-43页 |
| 3.2.2 建立器件电学特性仿真模型步骤 | 第43-45页 |
| 3.3 仿真研究不同沟道厚度AlGaN/GaN HEMT耐压机理 | 第45-50页 |
| 3.3.1 直流Ⅰ-Ⅴ特性仿真 | 第45-46页 |
| 3.3.2 能带仿真研究DIBL效应 | 第46-47页 |
| 3.3.3 电场仿真研究不同沟道厚度器件的击穿机制 | 第47-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 不同表面钝化GaN HEMTs栅极泄漏电流机制 | 第51-61页 |
| 4.1 LPCVD和PECVD生长SiN钝化器件的基本电学特性 | 第51-53页 |
| 4.1.1 LPCVD与PECVD工艺钝化的器件的直流Ⅰ-Ⅴ特性 | 第51-52页 |
| 4.1.2 LPCVD与PECVD钝化的器件的脉冲Ⅰ-Ⅴ特性 | 第52-53页 |
| 4.2 双栅结构测试表面横向漏电与垂直漏电 | 第53-57页 |
| 4.2.1 双栅结构测试原理 | 第53-54页 |
| 4.2.2 不同表面钝化器件的表面横向漏电与垂直漏电测试结果 | 第54-56页 |
| 4.2.3 器件栅极泄漏电流机制分析 | 第56-57页 |
| 4.3 两种不同表面工艺器件的击穿特性 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-61页 |
| 第五章 总结和展望 | 第61-63页 |
| 5.1 论文的研究结论 | 第61-62页 |
| 5.2 器件耐压研究展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 作者简介 | 第69页 |
