SOL-GEL法制备PZT薄膜及其性能的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 前言 | 第9-10页 |
| 1.2 PZT铁电薄膜的性能能及应用 | 第10-15页 |
| 1.3 PZT铁电薄膜的发展现状 | 第15-17页 |
| 1.3.1 PZT薄膜的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.3.2 PZT铁电薄膜研究存在的问题 | 第16-17页 |
| 1.4 本课题研究的意义和主要内容 | 第17-18页 |
| 1.5 本章小结 | 第18-19页 |
| 第二章 薄膜的制备技术 | 第19-28页 |
| 2.1 薄膜技术的发展史 | 第19-20页 |
| 2.2 薄膜的制备技术 | 第20-24页 |
| 2.3 薄膜的分析方法 | 第24-28页 |
| 第三章 溶胶-凝胶法制备PZT薄膜 | 第28-41页 |
| 3.1 实验设备及材料 | 第28-31页 |
| 3.1.1 试验设备 | 第28页 |
| 3.1.2 试验材料 | 第28-31页 |
| 3.2 试验原理 | 第31-33页 |
| 3.3 试验流程 | 第33-40页 |
| 3.3.1 溶剂瓶和基底的清洗 | 第33-34页 |
| 3.3.2 前驱体溶液的配制 | 第34-36页 |
| 3.3.3 PZT薄膜的制备 | 第36-39页 |
| 3.3.4 顶电极的制备 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 铅挥发和基底对PZT薄膜的影响 | 第41-48页 |
| 4.1 铅挥发的影响 | 第41-43页 |
| 4.2 基底的影响 | 第43-47页 |
| 4.2.1 XRD分析 | 第43-45页 |
| 4.2.2 SEM分析 | 第45-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 种子层和退火处理对PZT薄膜的影响 | 第48-59页 |
| 5.1 种子层的影响 | 第48-52页 |
| 5.1.1 XRD分析 | 第48-50页 |
| 5.1.2 电学性能测试 | 第50-52页 |
| 5.2 高温退火处理的影响 | 第52-57页 |
| 5.2.1 XRD分析 | 第53-54页 |
| 5.2.2 表面形貌 | 第54-55页 |
| 5.2.3 电学性能测试 | 第55-57页 |
| 5.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
