铟镓锌氧化物半导体器件制备与性能研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 IGZO半导体薄膜 | 第12-15页 |
| 1.2.1 IGZO结构特征 | 第12-13页 |
| 1.2.2 IGZO电学特性 | 第13-15页 |
| 1.3 薄膜晶体管简介 | 第15-21页 |
| 1.3.1 薄膜晶体管的结构 | 第15-16页 |
| 1.3.2 晶体管的工作机理 | 第16-19页 |
| 1.3.3 薄膜晶体管的主要参数 | 第19-21页 |
| 1.4 IGZO-TFT研究进展 | 第21-23页 |
| 1.5 本文主要研究内容和目的 | 第23-24页 |
| 2 薄膜制备方法与表征方法 | 第24-34页 |
| 2.1 薄膜制备方法 | 第24-28页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积法 | 第24-25页 |
| 2.1.2 溶胶凝胶法 | 第25页 |
| 2.1.3 溅射法 | 第25-27页 |
| 2.1.4 化学气相沉积法 | 第27-28页 |
| 2.2 薄膜的表征手段 | 第28-33页 |
| 2.2.1 X射线衍射 | 第28-29页 |
| 2.2.2 台阶仪 | 第29-30页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱 | 第30页 |
| 2.2.4 紫外-可见光分光光度计 | 第30-31页 |
| 2.2.5 霍尔效应测试系统 | 第31-33页 |
| 2.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 3 IGZO半导体薄膜制备与性能研究 | 第34-47页 |
| 3.1 IGZO半导体薄膜的制备 | 第34-36页 |
| 3.1.1 衬底的清洗 | 第34-35页 |
| 3.1.2 制备IGZO薄膜 | 第35-36页 |
| 3.2 IGZO薄膜光学性能 | 第36-39页 |
| 3.3 IGZO薄膜结构与成分分析 | 第39-43页 |
| 3.4 IGZO薄膜电学性能 | 第43-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 4 IGZO薄膜晶体管的制备与性能研究 | 第47-62页 |
| 4.1 薄膜晶体管的制备 | 第47-50页 |
| 4.1.1 衬底的准备与清洗 | 第48页 |
| 4.1.2 绝缘层的制备 | 第48-49页 |
| 4.1.3 半导体层的制备 | 第49页 |
| 4.1.4 漏源电极的制备 | 第49-50页 |
| 4.2 薄膜晶体管性能研究 | 第50-60页 |
| 4.2.1 不同氧含量对薄膜晶体管性能研究 | 第51-53页 |
| 4.2.2 不同宽长比对薄膜晶体管性能研究 | 第53-56页 |
| 4.2.3 不同电极材料对薄膜晶体管性能研究 | 第56-57页 |
| 4.2.4 双层IGZO对薄膜晶体管性能的研究 | 第57-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-62页 |
| 5 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 个人简历 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
