| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第13-31页 |
| 1.1 研究背景 | 第13-14页 |
| 1.2 量子信息科学基础 | 第14-21页 |
| 1.2.1 量子纠缠的度量和典型的纠缠态 | 第15-18页 |
| 1.2.2 量子逻辑门 | 第18-21页 |
| 1.3 腔量子电动力学的相关原理 | 第21-27页 |
| 1.3.1 原子-腔QED基本原理 | 第21-25页 |
| 1.3.2 从原子-腔QED到电路QED | 第25-27页 |
| 1.4 研究的目的和意义 | 第27-28页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第28-31页 |
| 第2章 超导比特中三比特GHZ态和两比特相位门的构造 | 第31-50页 |
| 2.1 引言 | 第31-32页 |
| 2.2 电荷比特的量子化 | 第32-37页 |
| 2.3 磁通比特的量子化 | 第37-42页 |
| 2.4 三比特GHZ态和两比特相位门的构造方案 | 第42-45页 |
| 2.5 腔膜光子泄露对方案的影响 | 第45-49页 |
| 2.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 第3章 电路QED中多比特GHZ态和W类态的产生 | 第50-61页 |
| 3.1 引言 | 第50-51页 |
| 3.2 超导传输线振子的量子化 | 第51-54页 |
| 3.3 多比特GHZ态和W类态的构造方案 | 第54-57页 |
| 3.3.1 系统模型和有效哈密顿 | 第54-55页 |
| 3.3.2 GHZ态和W类态的产生 | 第55-57页 |
| 3.4 数值分析与讨论 | 第57-60页 |
| 3.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第4章 非旋转波近似下的快速多比特相位门 | 第61-76页 |
| 4.1 引言 | 第61-63页 |
| 4.2 系统模型和有效哈密顿 | 第63-66页 |
| 4.2.1 色散相互作用范围的有效哈密顿 | 第65-66页 |
| 4.2.2 解耦合点的有效哈密顿量 | 第66页 |
| 4.3 快速多比特相位门的构造 | 第66-69页 |
| 4.4 数值分析与讨论 | 第69-75页 |
| 4.4.1 保真度演化和退相干影响 | 第70-73页 |
| 4.4.2 高斯型参数波动对保真度的影响 | 第73-75页 |
| 4.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 第5章 基于量子反馈控制的稳态Bell态制备 | 第76-91页 |
| 5.1 引言 | 第76-77页 |
| 5.2 基于量子跳跃反馈控制的纠缠稳态制备 | 第77-83页 |
| 5.3 色散情形下的稳态纠缠产生 | 第83-90页 |
| 5.4 本章小结 | 第90-91页 |
| 结论 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-107页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109-111页 |
| 个人简历 | 第111页 |