| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第14-35页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第14-16页 |
| 1.2 Ga_2O_3薄膜的制备及其研究进展 | 第16-21页 |
| 1.2.1 Ga_2O_3薄膜概述 | 第16-17页 |
| 1.2.2 Ga_2O_3薄膜的制备方法简介 | 第17-19页 |
| 1.2.3 Ga_2O_3薄膜的应用 | 第19-21页 |
| 1.3 GaN纳米线的制备及其研究进展 | 第21-28页 |
| 1.3.1 GaN纳米线概述 | 第21-23页 |
| 1.3.2 GaN纳米线的制备方法简介 | 第23-26页 |
| 1.3.3 GaN纳米线的应用 | 第26-28页 |
| 1.4 GaN金属-半导体-金属型紫外探测器 | 第28-32页 |
| 1.4.1 工作原理 | 第29-31页 |
| 1.4.2 主要性能参数 | 第31-32页 |
| 1.5 本文的研究内容 | 第32-35页 |
| 第2章 材料的制备与表征方法 | 第35-42页 |
| 2.1 材料的制备 | 第35-39页 |
| 2.1.1 氮掺杂Ga_2O_3薄膜的制备 | 第35-37页 |
| 2.1.2 GaN纳米线的制备 | 第37-39页 |
| 2.2 材料的表征方法 | 第39-42页 |
| 2.2.1 结构特性表征 | 第39页 |
| 2.2.2 表面形貌表征 | 第39-40页 |
| 2.2.3 光学特性表征 | 第40页 |
| 2.2.4 化学结构表征 | 第40-41页 |
| 2.2.5 薄膜厚度表征 | 第41-42页 |
| 第3章 氮掺杂Ga_2O_3薄膜的制备研究 | 第42-73页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 溅射气压对氮掺杂Ga_2O_3薄膜制备的影响 | 第42-51页 |
| 3.2.1 溅射气压对氮掺杂Ga_2O_3薄膜生长速率的影响 | 第43-44页 |
| 3.2.2 溅射气压对氮掺杂Ga_2O_3薄膜表面形貌的影响 | 第44-46页 |
| 3.2.3 溅射气压对氮掺杂Ga_2O_3薄膜结构特性的影响 | 第46-49页 |
| 3.2.4 溅射气压对氮掺杂Ga_2O_3薄膜光学性能的影响 | 第49-51页 |
| 3.3 氮气流量对氮掺杂Ga_2O_3薄膜制备的影响 | 第51-60页 |
| 3.3.1 氮掺杂Ga_2O_3薄膜的化学结构分析 | 第51-54页 |
| 3.3.2 氮气流量对氮掺杂Ga_2O_3薄膜表面形貌的影响 | 第54-56页 |
| 3.3.3 氮气流量对氮掺杂Ga_2O_3薄膜结构特性的影响 | 第56-59页 |
| 3.3.4 氮气流量对氮掺杂Ga_2O_3薄膜光学性能的影响 | 第59-60页 |
| 3.4 薄膜厚度对氮掺杂Ga_2O_3薄膜制备的影响 | 第60-67页 |
| 3.4.1 薄膜厚度对氮掺杂Ga_2O_3薄膜表面形貌的影响 | 第61-63页 |
| 3.4.2 薄膜厚度对氮掺杂Ga_2O_3薄膜结构特性的影响 | 第63-65页 |
| 3.4.3 薄膜厚度对氮掺杂Ga_2O_3薄膜光学性能的影响 | 第65-67页 |
| 3.5 退火气氛对氮掺杂Ga_2O_3薄膜性能的影响 | 第67-72页 |
| 3.5.1 退火气氛对氮掺杂Ga_2O_3薄膜表面形貌的影响 | 第67-69页 |
| 3.5.2 退火气氛对氮掺杂Ga_2O_3薄膜结构特性的影响 | 第69-70页 |
| 3.5.3 退火气氛对氮掺杂Ga_2O_3薄膜光学性能的影响 | 第70-72页 |
| 3.6 本章小结 | 第72-73页 |
| 第4章 GaN纳米线的制备研究 | 第73-91页 |
| 4.1 引言 | 第73页 |
| 4.2 生长温度对GaN纳米线制备的影响 | 第73-79页 |
| 4.2.1 生长温度对GaN产物表面形貌的影响 | 第74-75页 |
| 4.2.2 生长温度对GaN产物拉曼特性的影响 | 第75-77页 |
| 4.2.3 生长温度对GaN产物发光性能的影响 | 第77-79页 |
| 4.3 氨气流量对GaN纳米线制备的影响 | 第79-85页 |
| 4.3.1 氨气流量对GaN纳米线表面形貌的影响 | 第79-83页 |
| 4.3.2 氨气流量对GaN纳米线拉曼特性的影响 | 第83-84页 |
| 4.3.3 氨气流量对GaN纳米线发光性能的影响 | 第84-85页 |
| 4.4 GaN纳米线的生长过程与机理 | 第85-89页 |
| 4.5 本章小结 | 第89-91页 |
| 第5章 GaN纳米线基紫外探测器的制备与性能研究 | 第91-102页 |
| 5.1 引言 | 第91-92页 |
| 5.2 GaN纳米线基紫外探测器的制备 | 第92-94页 |
| 5.3 GaN纳米线基紫外探测器的性能分析 | 第94-100页 |
| 5.3.1 紫外探测器的电流-电压特性分析 | 第94-96页 |
| 5.3.2 紫外探测器的光谱响应特性分析 | 第96-99页 |
| 5.3.3 紫外探测器的时间响应特性分析 | 第99-100页 |
| 5.4 本章小结 | 第100-102页 |
| 结论 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-116页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第116-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
| 个人简历 | 第119页 |
