无带隙半导体材料电子态及其输运性质研究

中文摘要	第3-4页
英文摘要	第4-5页
第一章 绪论	第8-24页
§1.1 几种典型的无带隙半导体材料体系	第8-22页
§1.1.1 单层石墨片—石墨烯	第8-12页
§1.1.2 三维拓扑绝缘体表面	第12-16页
§1.1.3 硅原子单层—硅烯	第16-20页
§1.1.4 层状磷原子材料—黑磷	第20-22页
§1.2 本文选题与主要研究内容	第22-24页
第二章 一种重要的无带隙体系：零能边缘态	第24-36页
§2.1 零能边缘态的拓扑起源	第24-27页
§2.2 拓扑限制的石墨烯	第27-32页
§2.3 黑磷中的拓扑平带	第32-36页
第三章 介观输运理论中的转移矩阵方法	第36-44页
§3.1 介观输运理论	第36-37页
§3.2 转移矩阵	第37-41页
§3.3 Landauer-Buttiker公式	第41-44页
第四章 金属硅烯异质结的电输运性质	第44-54页
§4.1 研究背景	第44页
§4.2 模型描述与公式推导	第44-48页
§4.2.1 端接触金属-硅烯异质结	第44-47页
§4.2.2 底接触金属-硅烯异质结	第47-48页
§4.3 结果与讨论	第48-51页
§4.4 本章小结	第51-54页
第五章 三维拓扑绝缘体表面线缺陷	第54-60页
§5.1 研究背景	第54-55页
§5.2 线缺陷处的电子穿透深度与局域态密度	第55-57页
§5.2.1 模型描述与公式推导	第55-56页
§5.2.2 结果与讨论	第56-57页
§5.3 本章小结	第57-60页
第六章 总结和展望	第60-64页
§6.1 全文总结	第60-61页
§6.2 本论文的主要创新点及科学意义	第61页
§6.3 后续工作展望	第61-64页
参考文献	第64-77页
致谢	第77-78页
攻读硕士期间发表的论文目录	第78-79页