基于TDDB效应的年龄传感器技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.1 年龄传感器的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 栅介质TDDB的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 研究内容与论文安排 | 第14-15页 |
| 第二章 TDDB特性研究 | 第15-31页 |
| 2.1 二氧化硅本征击穿的机理 | 第15-18页 |
| 2.1.1 栅氧化层击穿 | 第15-17页 |
| 2.1.2 TDDB的软击穿与硬击穿 | 第17-18页 |
| 2.2 TDDB的寿命模型 | 第18-20页 |
| 2.2.1 E模型 | 第18页 |
| 2.2.2 1/E模型 | 第18-19页 |
| 2.2.3 V模型 | 第19-20页 |
| 2.3 累积失效率F(t) | 第20-21页 |
| 2.4 TDDB测试实验 | 第21-23页 |
| 2.4.1 TDDB测试方法 | 第21页 |
| 2.4.2 TDDB测试装置 | 第21-23页 |
| 2.4.3 TDDB测试方案 | 第23页 |
| 2.5 TDDB实验数据处理 | 第23-30页 |
| 2.5.1 Ea的提取 | 第24-25页 |
| 2.5.2 β 的提取 | 第25-27页 |
| 2.5.3 C的提取 | 第27页 |
| 2.5.4 归一化数据 | 第27-30页 |
| 2.6 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 基于TDDB的年龄传感器研究 | 第31-45页 |
| 3.1 年龄传感器分类 | 第31-36页 |
| 3.1.1 在线年龄监测 | 第31-32页 |
| 3.1.2 基于冗余预兆单元的年龄传感器 | 第32-34页 |
| 3.1.3 基于AF的年龄传感器 | 第34-36页 |
| 3.2 基于TDDB的年龄传感器工作原理 | 第36-40页 |
| 3.3 基于TDDB的年龄传感器结构 | 第40-44页 |
| 3.3.1 年龄传感器电路结构 | 第40-43页 |
| 3.3.2 应力电压的选取 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 年龄传感器电路设计 | 第45-73页 |
| 4.1 电压生成电路 | 第45-51页 |
| 4.1.1 线性稳压电源 | 第45-46页 |
| 4.1.2 开尔文-瓦莱分压器 | 第46-48页 |
| 4.1.3 分压电路设计 | 第48-51页 |
| 4.2 运算放大器的设计 | 第51-64页 |
| 4.2.1 输入级设计 | 第51-56页 |
| 4.2.2 输出级设计 | 第56-58页 |
| 4.2.3 补偿电路设计 | 第58-61页 |
| 4.2.4 运算放大器的仿真与分析 | 第61-64页 |
| 4.3 比较器的设计与仿真 | 第64-69页 |
| 4.3.1 比较器的特性 | 第64-67页 |
| 4.3.2 比较器的设计 | 第67-68页 |
| 4.3.3 比较器仿真分析 | 第68-69页 |
| 4.4 传感器仿真分析 | 第69-71页 |
| 4.5 本章小结 | 第71-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 5.1 总结 | 第73-74页 |
| 5.2 展望 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第80-81页 |
