| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 课题的来源 | 第10-11页 |
| 1.2 课题研究的背景和意义 | 第11-12页 |
| 1.3 国内外在该方向的研究现状及分析 | 第12-21页 |
| 1.3.1 高温SiC功率芯片的封装结构 | 第12-13页 |
| 1.3.2 传统高温互连材料 | 第13-15页 |
| 1.3.3 固液互扩散SLID及TLPS技术 | 第15-17页 |
| 1.3.4 纳米颗粒烧结工艺 | 第17-21页 |
| 1.4 国内外研究现状简析 | 第21-22页 |
| 1.5 本课题主要研究内容 | 第22-23页 |
| 第2章 试验材料与方法 | 第23-31页 |
| 2.1 试验材料与制备方法 | 第23-25页 |
| 2.1.1 纳米Ag-Cu二元合金颗粒的制备 | 第23-24页 |
| 2.1.2 烧结工艺试样制备 | 第24页 |
| 2.1.3 SiC单芯片电热测试样品制备 | 第24-25页 |
| 2.2 测试方法 | 第25-31页 |
| 2.2.1 剪切性能测试 | 第25-26页 |
| 2.2.2 烧结组织电性能测试 | 第26-27页 |
| 2.2.3 烧结组织热性能测试 | 第27-28页 |
| 2.2.4 烧结组织热膨胀系数测试 | 第28页 |
| 2.2.5 SiC单芯片烧结试样电性能测试 | 第28-29页 |
| 2.2.6 SiC单芯片烧结试样热性能测试 | 第29-30页 |
| 2.2.7 可靠性测试方法 | 第30页 |
| 2.2.8 界面结构观测方法 | 第30-31页 |
| 第3章 纳米AgCu颗粒的表征和烧结工艺 | 第31-53页 |
| 3.1 纳米Ag-Cu颗粒的表征 | 第31-35页 |
| 3.1.1 纳米AgCu颗粒的形貌观测和粒径分析 | 第31-32页 |
| 3.1.2 纳米颗粒物相成分分析 | 第32-33页 |
| 3.1.3 纳米AgCu颗粒综合热特性分析及焊膏制备 | 第33-35页 |
| 3.2 焊膏烧结工艺探索 | 第35-47页 |
| 3.2.1 烧结温度对烧结性能的影响 | 第35-39页 |
| 3.2.2 烧结保温时间对烧结性能的影响 | 第39-43页 |
| 3.2.3 烧结压力对接头性能的影响 | 第43-46页 |
| 3.2.4 纳米AgCu烧结组织成分分析 | 第46-47页 |
| 3.3 纳米AgCu焊膏烧结组织电热性能测试 | 第47-51页 |
| 3.3.1 纳米AgCu烧结组织导电率测试 | 第48-49页 |
| 3.3.2 纳米AgCu烧结组织导热性能测试 | 第49-50页 |
| 3.3.3 纳米AgCu烧结组织热膨胀系数测试 | 第50-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第4章 纳米AgCu烧结Cu-Cu接头高温老化试验 | 第53-59页 |
| 4.1 高温老化接头剪切强度测试分析 | 第53-54页 |
| 4.2 高温老化接头连接界面分析 | 第54-58页 |
| 4.2.1 100℃老化过程中接头组织结构分析 | 第55页 |
| 4.2.2 200℃老化过程中接头组织结构分析 | 第55-56页 |
| 4.2.3 250℃老化过程中接头组织结构分析 | 第56-57页 |
| 4.2.4 300℃老化过程中接头组织结构分析 | 第57-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 SiC功率模块的制作及性能评价 | 第59-81页 |
| 5.1 SiC全桥功率模块设计制作与性能测试 | 第59-69页 |
| 5.1.1 SiC功率模块设计 | 第59-62页 |
| 5.1.2 Si功率模块的制作 | 第62-64页 |
| 5.1.3 SiC功率模块高温输出性能测试 | 第64-68页 |
| 5.1.4 SiC全桥功率模块关断漏电流测试 | 第68-69页 |
| 5.2 纳米AgCu连接MOSFET器件的导电导热性能对比分析 | 第69-75页 |
| 5.2.1 单个MOSFET芯片导电性能测试 | 第69-70页 |
| 5.2.2 单个MOSFET芯片导热性能测试 | 第70-75页 |
| 5.3 单个SiC MOSFET器件高低温冲击可靠性测试 | 第75-80页 |
| 5.3.1 温度冲击试验中电性能变化 | 第76-77页 |
| 5.3.2 温度冲击试验中热性能变化 | 第77-78页 |
| 5.3.3 温度冲击前后试样连接层结构分析 | 第78-80页 |
| 5.4 本章小结 | 第80-81页 |
| 结论 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-89页 |
| 致谢 | 第89页 |
