| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 目录 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-23页 |
| 1.1 铜基系Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族多晶黄铜矿化合物及其应用 | 第14-15页 |
| 1.2 半导体光电探测器工作机制和性能参数 | 第15-18页 |
| 1.2.1 半导体光电探测器工作机制 | 第15-17页 |
| 1.2.2 光伏型光电探测器的主要性能参数 | 第17-18页 |
| 1.3 太阳能电池等效模型及电流电压特性 | 第18-19页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-23页 |
| 第二章 CuInSe_2及CuIn_(1-x)Al_xSe_2薄膜制备 | 第23-30页 |
| 2.1 磁控溅射法制备CuIn/Cu及CuIn/Al/Cu金属前驱体 | 第23-25页 |
| 2.1.1 磁控溅射技术 | 第23-24页 |
| 2.1.2 实验准备 | 第24-25页 |
| 2.1.3 实验过程 | 第25页 |
| 2.2 硒化处理 | 第25-27页 |
| 2.2.1 硒化炉 | 第25-26页 |
| 2.2.2 硒化参数 | 第26-27页 |
| 2.3 CuInSe_2及CuIn_(1-x)Al_xSe_2薄膜样品制备 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-30页 |
| 第三章 CuInSe_2及CuIn_(1-x)Al_xSe_2薄膜性质研究 | 第30-49页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 CuInSe_2薄膜性质研究 | 第30-37页 |
| 3.2.1 CuInSe_2薄膜组分研究 | 第30-32页 |
| 3.2.2 CuInSe_2薄膜XRD分析 | 第32-34页 |
| 3.2.3 CuInSe_2薄膜Raman光谱分析 | 第34-35页 |
| 3.2.4 CuInSe_2薄膜透射光谱分析 | 第35-36页 |
| 3.2.5 CuInSe_2薄膜SEM表征 | 第36-37页 |
| 3.3 CuIn_(1-x)Al_xSe_2薄膜性质研究 | 第37-44页 |
| 3.3.1 CuIn_(1-x)Al_xSe_2薄膜组分研究 | 第37-38页 |
| 3.3.2 CuInSe_2和CuIn_(1-x)Al_xSe_2薄膜XRD对比分析 | 第38-40页 |
| 3.3.3 CuInSe_2和CuIn_(1-x)Al_xSe_2薄膜Raman光谱对比分析 | 第40-42页 |
| 3.3.4 CuInSe_2和CuIn_(1-x)Al_xSe_2薄膜傅里叶红外光谱对比分析 | 第42页 |
| 3.3.5 CuIn_(1-x)Al_xSe_2薄膜透射光谱分析 | 第42-43页 |
| 3.3.6 CuInSe_2和CuIn_(1-x)Al_xSe_2薄膜SEM对比分析 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 第四章 CuIn_(1-x)Al_xSe_2薄膜光电器件的制备及性能研究 | 第49-67页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 CuIn_(1-x)Al_xSe_2薄膜光电探测器制备及性能研究 | 第49-55页 |
| 4.2.1 CuIn_(1-x)Al_xSe_2薄膜光电探测器制备 | 第49-52页 |
| 4.2.2 CuIn_(1-x)Al_xSe_2薄膜光电探测器电学性质 | 第52-54页 |
| 4.2.3 AZO/CIAS薄膜异质结外量子效率图谱 | 第54-55页 |
| 4.3 CuIn_(1-x)Al_xSe_2薄膜太阳能电池的制备及性能研究 | 第55-63页 |
| 4.3.1 CuIn_(1-x)Al_xSe_2薄膜太阳能电池的制备 | 第55-58页 |
| 4.3.2 CuIn_(1-x)Al_xSe_22薄膜太阳能电池电流电压曲线表征 | 第58-62页 |
| 4.3.3 太阳能电池截面SEM表征 | 第62-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-70页 |
| 5.1 总结 | 第67-68页 |
| 5.2 展望 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 硕士期间发表学术论文 | 第71页 |
