| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 单光子探测器的研究背景 | 第11-16页 |
| 1.1.1 光电倍增管 | 第11-12页 |
| 1.1.2 单光子雪崩光电二极管 | 第12-13页 |
| 1.1.3 频率上转换单光子探测器 | 第13-14页 |
| 1.1.4 超导临界温度跃迁单光子探测器(TES) | 第14页 |
| 1.1.5 量子点单光子探测器 | 第14-15页 |
| 1.1.6 超导纳米线单光子探测器(SNSPD) | 第15-16页 |
| 1.2 超导纳米线单光子探测器 | 第16-21页 |
| 1.2.1 SNSPD的核心结构及工作过程 | 第16-17页 |
| 1.2.2 SNSPD的物理机制 | 第17-18页 |
| 1.2.3 SNSPD的性能指标 | 第18-21页 |
| 1.3 本文的研究目的和论文框架 | 第21-22页 |
| 第二章 可实现光子数分辨的超导纳米线探测器 | 第22-31页 |
| 2.1 可实现光子数分辨的超导纳米线探测器 | 第22-27页 |
| 2.1.1 SNSPDs阵列 | 第22-24页 |
| 2.1.2 并联超导纳米线探测器(PND) | 第24-25页 |
| 2.1.3 串联超导纳米线探测器(SND) | 第25-27页 |
| 2.2 SND探测器的电热原理 | 第27-29页 |
| 2.2.1 SND探测器的热学模型 | 第27-29页 |
| 2.2.2 SND探测器的电路模型 | 第29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 串联超导纳米线探测器的工艺制备 | 第31-43页 |
| 3.1 工艺设计 | 第32页 |
| 3.2 工艺制备 | 第32-39页 |
| 3.3 可实现位置分辨和数目分辨的6像元SND探测器的结构设计 | 第39-41页 |
| 3.4 测试系统 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 串联超导纳米线探测器的性能表征 | 第43-53页 |
| 4.1 NbN薄膜特性 | 第43页 |
| 4.2 6像元SND探测器的I-V特性 | 第43-45页 |
| 4.3 6像元SND探测器的光子数分辨特性 | 第45-48页 |
| 4.4 6像元SND探测器的系统效率 | 第48-49页 |
| 4.5 可实现位置分辨和数目分辨的6像元SND探测器的性能表征 | 第49-52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结和展望 | 第53-55页 |
| 5.1 总结 | 第53页 |
| 5.2 展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 硕士期间发表的学术论文和申请专利 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
