| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 研究背景 | 第17-18页 |
| 1.2 单片微波集成电路 | 第18-23页 |
| 1.2.1 MMIC的应用 | 第19页 |
| 1.2.2 GaN MMIC国内外发展状况 | 第19-23页 |
| 1.3 本课题的研究意义 | 第23页 |
| 1.4 本论文的主要工作和内容安排 | 第23-25页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件与模型 | 第25-47页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT的工作原理 | 第25-29页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN异质结的极化效应 | 第25-27页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN异质结 2DEG的形成 | 第27-28页 |
| 2.1.3 AlGaN/GaN HEMT的基本工作原理 | 第28-29页 |
| 2.2 自热效应 | 第29-30页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HEMT器件工艺 | 第30-36页 |
| 2.3.1 AlGaN/GaN HEMT场板结构 | 第30-32页 |
| 2.3.2 AlGaN/GaN HEMT器件制备 | 第32-33页 |
| 2.3.3 AlGaN/GaN HEMT器件性能 | 第33-36页 |
| 2.4 AlGaN/GaN HEMT器件模型 | 第36-41页 |
| 2.4.1 AlGaN/GaN HEMT小信号模型 | 第36-39页 |
| 2.4.2 AlGaN/GaN HEMT大信号模型 | 第39-41页 |
| 2.5 MMIC无源元件模型 | 第41-46页 |
| 2.5.1 MIM电容 | 第42-44页 |
| 2.5.2 平面电阻 | 第44页 |
| 2.5.3 电感 | 第44-45页 |
| 2.5.4 通孔 | 第45-46页 |
| 2.6 小结 | 第46-47页 |
| 第三章 MMIC功率放大器的设计基础 | 第47-59页 |
| 3.1 MMIC功率放大器的主要技术指标 | 第47-52页 |
| 3.1.1 工作频率和带宽 | 第47页 |
| 3.1.2 输出功率 | 第47-48页 |
| 3.1.3 功率增益和增益平坦度 | 第48-49页 |
| 3.1.4 效率 | 第49-50页 |
| 3.1.5 输入输出驻波比 | 第50-51页 |
| 3.1.6 交调失真 | 第51-52页 |
| 3.2 MMIC功率放大器的基本原理 | 第52-58页 |
| 3.2.1 功率放大器的工作状态 | 第52-54页 |
| 3.2.2 匹配网络 | 第54-55页 |
| 3.2.3 获得最佳阻抗方法 | 第55-56页 |
| 3.2.4 稳定性 | 第56-58页 |
| 3.3 小结 | 第58-59页 |
| 第四章 X波段GaN MMIC功率放大器设计 | 第59-75页 |
| 4.1 设计流程及拓扑结构 | 第59-62页 |
| 4.1.1 MMIC电路设计流程 | 第59-61页 |
| 4.1.2 主要设计指标 | 第61页 |
| 4.1.3 放大器的拓扑结构 | 第61-62页 |
| 4.2 两级GaN MMIC功率放大器设计 | 第62-74页 |
| 4.2.1 稳定网络设计 | 第62-63页 |
| 4.2.2 输出匹配网络设计 | 第63-66页 |
| 4.2.3 级间匹配网络设计 | 第66-69页 |
| 4.2.4 输入匹配网络设计 | 第69-71页 |
| 4.2.5 整体电路的原理图设计及仿真结果 | 第71-72页 |
| 4.2.6 电磁场仿真 | 第72-74页 |
| 4.3 小结 | 第74-75页 |
| 第五章 MMIC工艺 | 第75-81页 |
| 5.1 GaN MMIC工艺流程 | 第75-80页 |
| 5.2 小结 | 第80-81页 |
| 第六章 总结与展望 | 第81-83页 |
| 6.1 研究成果及意义 | 第81-82页 |
| 6.2 展望 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-89页 |
| 致谢 | 第89-91页 |
| 作者简介 | 第91-92页 |
