| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第15-31页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第15-16页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第16-28页 |
| 1.2.1 压接型IGBT器件封装技术的发展及其特点 | 第16-23页 |
| 1.2.2 压接型IGBT器件开关特性测试平台研究现状 | 第23-25页 |
| 1.2.3 封装寄生电感对多芯片并联均流的影响 | 第25-26页 |
| 1.2.4 并联IGBT芯片PETT振荡研究现状 | 第26-28页 |
| 1.3 现有研究中存在的问题 | 第28-29页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第29-31页 |
| 第2章 压接型IGBT器件开关特性测试平台的研制 | 第31-57页 |
| 2.1 引言 | 第31页 |
| 2.2 开关特性测试方法 | 第31-35页 |
| 2.2.1 IEC60747-9 测试标准 | 第32-33页 |
| 2.2.2 MIL-STD-750E测试标准 | 第33-34页 |
| 2.2.3 测试标准的对比 | 第34-35页 |
| 2.3 测试平台的研制与典型测试波形 | 第35-45页 |
| 2.3.1 测试平台主回路设计 | 第35-36页 |
| 2.3.2 测试平台调平机械结构的设计 | 第36-41页 |
| 2.3.3 测试平台的基本指标 | 第41-42页 |
| 2.3.4 典型测试波形 | 第42-45页 |
| 2.4 测试回路杂散电感的提取 | 第45-56页 |
| 2.4.1 回路杂散电感的构成及其特点 | 第45-47页 |
| 2.4.2 回路杂散电感提取方法 | 第47-49页 |
| 2.4.3 杂散电感提取方法的仿真分析 | 第49-53页 |
| 2.4.4 测试平台的杂散电感 | 第53-56页 |
| 2.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第3章 凸台寄生电感对IGBT并联芯片电流分布特性的影响与抑制 | 第57-82页 |
| 3.1 引言 | 第57页 |
| 3.2 IGBT开关瞬态过程分析 | 第57-60页 |
| 3.3 压接型IGBT器件的凸台寄生电感及其等效电路模型 | 第60-69页 |
| 3.3.1 器件封装结构的特点 | 第60-62页 |
| 3.3.2 凸台寄生电感的特点及其提取方法 | 第62-65页 |
| 3.3.3 凸台寄生电感的等效电路模型 | 第65-67页 |
| 3.3.4 凸台电感值的有效性验证 | 第67-69页 |
| 3.4 凸台几何布局对IGBT器件内部并联芯片均流的影响 | 第69-74页 |
| 3.4.1 仿真电路 | 第69-70页 |
| 3.4.2 并联IGBT芯片的开关特性 | 第70-73页 |
| 3.4.3 续流二极管支路的开关特性 | 第73-74页 |
| 3.4.4 压接型IGBT器件的芯片损耗分析 | 第74页 |
| 3.5 多芯片并联时电流分布特性的优化 | 第74-81页 |
| 3.5.1 凸台几何布局的优化 | 第74-79页 |
| 3.5.2 圆周凸台布局 | 第79-80页 |
| 3.5.3 开关波形与开关损耗分析 | 第80-81页 |
| 3.6 本章小结 | 第81-82页 |
| 第4章 栅极PCB板布局对IGBT芯片开通特性的影响与抑制 | 第82-93页 |
| 4.1 引言 | 第82页 |
| 4.2 驱动回路等效电路建模 | 第82-86页 |
| 4.2.1 IGBT器件内部栅极PCB板布局 | 第82-83页 |
| 4.2.2 驱动回路参数测量 | 第83-85页 |
| 4.2.3 栅极电压波形仿真分析 | 第85-86页 |
| 4.3 驱动回路参数对并联芯片开通波形影响的实验分析 | 第86-88页 |
| 4.3.1 测试设置 | 第86-87页 |
| 4.3.2 测试结果分析 | 第87-88页 |
| 4.4 一种新型双弹簧顶针结构 | 第88-92页 |
| 4.4.1 双针+双层栅极PCB板驱动回路 | 第88-90页 |
| 4.4.2 新封装形式下芯片电流分布特性的分析 | 第90-92页 |
| 4.5 本章小结 | 第92-93页 |
| 第5章 PETT振荡特性及其抑制方法 | 第93-120页 |
| 5.1 引言 | 第93页 |
| 5.2 PETT振荡现象 | 第93-98页 |
| 5.2.1 压接型IGBT器件的PETT振荡现象 | 第93-95页 |
| 5.2.2 并联IGBT芯片PETT振荡的特点 | 第95-98页 |
| 5.3 PETT振荡机理研究 | 第98-106页 |
| 5.3.1 IGBT关断时载流子分布特性 | 第98-100页 |
| 5.3.2 空间电荷区特性分析 | 第100-105页 |
| 5.3.3 PETT振荡的特点 | 第105-106页 |
| 5.4 PETT振荡特性的实验验证 | 第106-113页 |
| 5.4.1 振荡具有非随机性 | 第106-107页 |
| 5.4.2 封装寄生电感对振荡电压范围的影响 | 第107-111页 |
| 5.4.3 PETT振荡的频率特性分析 | 第111-113页 |
| 5.5 PETT抑制方法的研究 | 第113-118页 |
| 5.5.1 抑制PETT振荡的方法分析 | 第113-114页 |
| 5.5.2 软磁材料对抑制PETT振荡的效果验证 | 第114-118页 |
| 5.6 本章小结 | 第118-120页 |
| 第6章 结论与展望 | 第120-123页 |
| 6.1 结论 | 第120-122页 |
| 6.2 展望 | 第122-123页 |
| 参考文献 | 第123-131页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第131-133页 |
| 攻读博士学位期间参加的科研工作 | 第133-134页 |
| 致谢 | 第134-136页 |
| 作者简介 | 第136页 |
