| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第14-30页 |
| 1.1 金属-绝缘体相变 | 第14-17页 |
| 1.1.1 Wilson转变 | 第15页 |
| 1.1.2 Anderson转变 | 第15-16页 |
| 1.1.3 Peierls畸变 | 第16页 |
| 1.1.4 Mott相变 | 第16-17页 |
| 1.2 强关联电子体系的金属-绝缘体相变 | 第17-20页 |
| 1.3 钙钛矿结构镍酸盐RNiO_3 | 第20-29页 |
| 1.3.1 RNiO_3的研究进展 | 第21-22页 |
| 1.3.2 RNiO_3的晶格结构及金属-绝缘体相变 | 第22-24页 |
| 1.3.3 调控相变温度的方式 | 第24-29页 |
| 1.4 本论文研究内容 | 第29-30页 |
| 第二章 实验设备与表征手段 | 第30-41页 |
| 2.1 薄膜制备技术(脉冲激光沉积法,PLD) | 第30-33页 |
| 2.2 薄膜表征手段 | 第33-40页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第34-37页 |
| 2.2.2 原子力显微镜(AFM) | 第37-38页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱(XPS) | 第38页 |
| 2.2.4 综合物性测量系统(PPMS) | 第38-40页 |
| 2.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 SmNiO_3外延薄膜的制备及其物性研究 | 第41-50页 |
| 3.1 靶材的制备 | 第41页 |
| 3.2 衬底的选择 | 第41-42页 |
| 3.3 PLD法制备SmNiO_3外延薄膜 | 第42-43页 |
| 3.4 氧分压对SmNiO_3外延薄膜金属-绝缘体相变的影响 | 第43-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 离子液体栅极的介电性能 | 第50-58页 |
| 4.1 双电层晶体管 | 第50-51页 |
| 4.2 离子液体简介 | 第51-53页 |
| 4.3 离子液体的变温介电性能 | 第53-56页 |
| 4.3.1 离子液体DEME-BF_4的变温介电性能 | 第53-55页 |
| 4.3.2 离子液体DEME-TFSI的介电性能研究 | 第55-56页 |
| 4.4 离子液体的室温介电性能 | 第56-57页 |
| 4.4.1 室温下不同频率对离子液体介电性能的影响 | 第56页 |
| 4.4.2 室温下不同偏压对离子液体介电性能的影响 | 第56-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 电场对SmNiO_3薄膜金属-绝缘体相变的调控 | 第58-66页 |
| 5.1 引言 | 第58-60页 |
| 5.2 双电层晶体管的制作 | 第60-63页 |
| 5.3 栅极电压对SmNiO_3薄膜金属-绝缘体相变的调控 | 第63-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 攻读学位期间发表学术论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
