基于忆阻器的超宽带电路研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| abstract | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| ·忆阻器国内外研究现状 | 第10-14页 |
| ·国内发展现状 | 第10-11页 |
| ·国外发展现状 | 第11-14页 |
| ·UWB脉冲形成电路研究现状 | 第14-18页 |
| ·利用数字电路产生U W B脉冲 | 第14-15页 |
| ·基于雪崩晶体管的U W B脉冲形成电路 | 第15-16页 |
| ·基于阶跃恢复二级管的UWB脉冲形成电路 | 第16-17页 |
| ·基于光电器件的UWB脉冲形成电路 | 第17-18页 |
| ·基于忆阻器的UWB信号产生电路 | 第18页 |
| ·研究目的和意义 | 第18-19页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 2 忆阻器的理论及物理基础 | 第20-33页 |
| ·忆阻器的概念 | 第20页 |
| ·忆阻器的基本电路理论 | 第20-22页 |
| ·忆阻器的工作机理 | 第22-27页 |
| ·边界迁移模型 | 第23-24页 |
| ·绝缘体 - 金属转变机制 | 第24页 |
| ·电子自旋阻塞模型 | 第24-25页 |
| ·氧化还原反应 | 第25页 |
| ·丝电导机制 | 第25-27页 |
| ·忆阻器的数学模型 | 第27-29页 |
| ·忆阻器的制备工艺 | 第29-32页 |
| ·一般工艺方法 | 第30-31页 |
| ·纳米压印光刻工艺 | 第31页 |
| ·原子层沉积工艺 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 3 氧化钽忆阻器的建模及仿真 | 第33-44页 |
| ·氧化钽忆阻器的分析 | 第33-35页 |
| ·氧化钽忆阻器的物理结构 | 第33-34页 |
| ·氧化钽忆阻器的导电机制 | 第34-35页 |
| ·氧化钽忆阻器的制备工艺 | 第35页 |
| ·氧化钽忆阻器的行为分析 | 第35-39页 |
| ·氧化钽忆阻器的数学模型 | 第36-37页 |
| ·数值仿真 | 第37-39页 |
| ·氧化钽忆阻器的SPICE建模与仿真 | 第39-43页 |
| ·SPICE模型的结构分析 | 第39-40页 |
| ·氧化钽忆阻器的SPICE模型 | 第40-41页 |
| ·SPICE模型仿真 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 4 基于忆阻器的UWB信号产生电路 | 第44-52页 |
| ·忆阻器的应用 | 第44页 |
| ·基于忆阻器的UWB信号发生器电路 | 第44-47页 |
| ·电路结构 | 第44-46页 |
| ·系统方程 | 第46-47页 |
| ·基于忆阻器的UWB信号发生器的仿真分析 | 第47-51页 |
| ·信号发生器的行为级仿真 | 第47-48页 |
| ·信号发生器的电路实现 | 第48-50页 |
| ·信号发生器的混沌行为 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 5 基于忆阻器的UWB信号发生器关键电路 | 第52-79页 |
| ·无源元件的高频特性分析 | 第52-60页 |
| ·电感 | 第52-55页 |
| ·电容 | 第55-56页 |
| ·电阻 | 第56-58页 |
| ·传输线 | 第58-60页 |
| ·信号发生器的片上电感设计 | 第60-72页 |
| ·电感的理论分析基础 | 第60-63页 |
| ·片上电感的性能分析 | 第63-69页 |
| ·片上电感的设计与优化 | 第69-72页 |
| ·信号发生器的电容和电阻设计 | 第72-76页 |
| ·电容设计及等效电路参数提取 | 第72-74页 |
| ·电阻设计及等效电路参数提取 | 第74-76页 |
| ·含有寄生参数的U W B信号发生器 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 结论 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-89页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及研究成果 | 第89页 |
