| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·ZnO 薄膜概述 | 第9-12页 |
| ·ZnO 的晶体结构 | 第10-11页 |
| ·ZnO 的应用 | 第11-12页 |
| ·宽带隙绝缘材料AlN | 第12-13页 |
| ·AlN 的晶体结构 | 第12-13页 |
| ·AlN 薄膜的应用 | 第13页 |
| ·过渡层(缓冲层)概述 | 第13-14页 |
| ·本文的研究内容 | 第14-15页 |
| 第2章 ZnO 和AlN 薄膜的制备方法及性能表征手段 | 第15-21页 |
| ·ZnO 和AlN 薄膜的制备 | 第15-16页 |
| ·金属有机化学气相沉积 | 第15-16页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第16页 |
| ·分子束外延 | 第16页 |
| ·磁控溅射 | 第16页 |
| ·本实验采用的制备方法—磁控溅射法 | 第16-18页 |
| ·磁控溅射原理 | 第17页 |
| ·溅射的基本过程 | 第17页 |
| ·溅射沉积的分类 | 第17-18页 |
| ·多靶磁控溅射技术 | 第18页 |
| ·ZnO 和AlN 薄膜的性能表征手段 | 第18-20页 |
| ·X 射线衍射 | 第18-19页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第19页 |
| ·原子力显微镜 | 第19-20页 |
| ·霍尔效应测试 | 第20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第3章 AlN 薄膜的制备与生长取向研究 | 第21-29页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·AlN 薄膜的制备 | 第21-23页 |
| ·实验装置 | 第21-22页 |
| ·衬底的预处理 | 第22页 |
| ·样品制备工艺参数 | 第22-23页 |
| ·制备AlN 薄膜的实验步骤 | 第23页 |
| ·结果与讨论 | 第23-28页 |
| ·衬底温度对AlN 薄膜生长取向的影响 | 第24-25页 |
| ·工作气压对AlN 薄膜生长取向的影响 | 第25-26页 |
| ·溅射功率对AlN 薄膜生长取向的影响 | 第26-28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第4章 ZnO 薄膜的制备与生长取向研究 | 第29-35页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·ZnO 薄膜的制备 | 第29-30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-34页 |
| ·衬底温度对ZnO 薄膜生长取向的影响 | 第30-31页 |
| ·工作气压对ZnO 薄膜生长取向的影响 | 第31-32页 |
| ·溅射功率对ZnO 薄膜生长取向的影响 | 第32-34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 第5章 ZnO/AlN 复合膜的制备与性能表征 | 第35-47页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·ZnO/AlN 复合薄膜的制备 | 第35-37页 |
| ·样品制备工艺参数 | 第35-36页 |
| ·制备ZnO/AlN 复合薄膜的实验步骤 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-40页 |
| ·ZnO/AlN 复合膜与ZnO 单层膜XRD 测试对比 | 第37-38页 |
| ·ZnO/AlN 复合膜与ZnO 单层膜原子力显微镜测试对比 | 第38-39页 |
| ·ZnO/AlN 复合膜与ZnO 单层膜电学参数及导电类型对比 | 第39-40页 |
| ·不同溅射时间下AlN 缓冲层对ZnO 薄膜的影响 | 第40-41页 |
| ·结果与讨论 | 第41-46页 |
| ·AFM 表面形貌分析 | 第41-43页 |
| ·XRD 测试分析 | 第43-45页 |
| ·霍尔测试分析 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 结论 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
