| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-10页 |
| ·半导体激光器的发展 | 第7页 |
| ·平板耦合光波导激光器的发展 | 第7-9页 |
| ·论文的研究目的及结构安排 | 第9-10页 |
| 第二章 半导体激光器的工作原理及平板耦合光波导激光器 | 第10-29页 |
| ·粒子数的反转分布 | 第10-11页 |
| ·增益的阈值条件 | 第11-12页 |
| ·增益系数与电流密度 | 第12-13页 |
| ·增益饱和 | 第13-14页 |
| ·平板耦合光波导激光器 | 第14-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 808NM平板耦合光波导半导体激光器的设计及优化 | 第29-47页 |
| ·808nm激光器的材料选取 | 第29页 |
| ·808nm激光器量子阱的设计及优化 | 第29-32页 |
| ·平板耦合光波导理论及波导的建立 | 第32-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 激光器的材料生长及模拟分析 | 第47-57页 |
| ·808nm平板耦合光波导激光外延材料生长 | 第47-48页 |
| ·Crosslight软件介绍 | 第48-49页 |
| ·激光器结构的模拟 | 第49-56页 |
| ·本章小节 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |