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40.5kV真空灭弧室电场优化及磁场分析

摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第一章 绪论第10-18页
   ·真空灭弧室的发展历史第10页
   ·真空灭弧室发展现状及存在的问题第10-12页
     ·发展现状第10-11页
     ·真空灭弧室待解决的问题第11-12页
   ·真空灭弧室的电磁场研究及发展趋势第12-14页
     ·有限元法对电磁场的研究第12-13页
     ·真空灭弧室的发展趋势第13-14页
   ·有限元分析与电磁场数值分析基础第14-16页
     ·有限元分析第14页
     ·电磁场的数值分析基础第14-16页
   ·本文主要研究内容第16-18页
第二章 真空灭弧室结构与绝缘击穿第18-30页
   ·真空灭弧室基本结构第18-25页
     ·真空灭弧室结构第18-19页
     ·气密与绝缘系统第19-20页
     ·真空灭弧室的导电系统第20-22页
     ·真空灭弧室的屏蔽罩结构第22-23页
     ·波纹管的作用第23-25页
   ·真空灭弧室的绝缘特性第25-26页
     ·真空间隙的电击穿第25-26页
     ·真空击穿假说第26页
   ·导致真空击穿的因素第26-29页
     ·击穿电压与触头间隙之间的关系第26-27页
     ·击穿电压与真空度的关系第27-28页
     ·击穿电压与触头材料的关系第28-29页
     ·击穿电压与触头表面状况的关系第29页
 本章小结第29-30页
第三章 真空灭弧室电场数值分析及有效面积研究第30-41页
   ·40.5kV真空灭弧室的轴对称模型第30-31页
   ·40.5kV真空灭弧室电场和电位分布第31-35页
     ·X-型主屏蔽罩结构的电场和电位分布第31-33页
     ·Y-型主屏蔽罩结构的电场和电位分布第33-34页
     ·主屏蔽罩内表面的电场分布曲线第34-35页
   ·真空灭弧室触头有效面积的研究第35-40页
     ·有效面积的定义第35-36页
     ·有效面积的计算方法第36-37页
     ·主屏蔽罩结构对触头有效面积的影响第37-38页
     ·主屏蔽罩半径对有效面积的影响第38-39页
     ·触头开距对有效面积的影响第39-40页
 本章小结第40-41页
第四章 真空灭弧室电场优化分析第41-48页
   ·ANSYS软件的电场优化设计第41-43页
   ·40.5kV真空灭弧室数学优化模型的建立第43-44页
   ·40.5k V 真空灭弧室优化分析第44-46页
 本章小结第46-48页
第五章 杯状纵磁触头结构磁场瞬态分析第48-56页
   ·磁场对电弧形态的控制第48-49页
     ·真空电弧形态第48页
     ·磁场对电弧的作用第48-49页
   ·40.5kV杯状纵磁触头模型的建立第49-50页
   ·三维纵磁瞬态计算结果分析第50-55页
     ·电流峰值时触头片表面磁场三维分布第50-51页
     ·电流过零时触头片表面磁场三维分布第51-53页
     ·纵向磁场在电弧中心平面处的三维分布第53-54页
     ·纵向磁场的滞后时间第54-55页
 本章小结第55-56页
结论第56-58页
参考文献第58-61页
附录A 攻读硕士期间参与的科研项目第61-62页
附录B 攻读硕士学位期间发表的学术论文及专利第62-63页
致谢第63-64页

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