| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| ·薄膜晶体生长 | 第11-13页 |
| ·薄膜中的晶体缺陷结构 | 第13-16页 |
| ·点缺陷 | 第14页 |
| ·线缺陷 | 第14-15页 |
| ·面缺陷 | 第15-16页 |
| ·多晶薄膜的组织与织构 | 第16-18页 |
| ·薄膜介观组织 | 第16-17页 |
| ·薄膜的织构 | 第17-18页 |
| ·薄膜缺陷结构形成与控制的实验研究 | 第18-20页 |
| ·薄膜生长的计算模拟及其在薄膜晶体缺陷研究中的应用 | 第20-24页 |
| ·薄膜生长的计算模拟方法 | 第20-23页 |
| ·薄膜晶体缺陷的计算模拟研究 | 第23-24页 |
| ·本文研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 薄膜沉积生长的分子动力学模型与模拟方法 | 第26-47页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·分子动力学模拟基本原理、算法及其在本研究中的运用 | 第27-35页 |
| ·基本原理 | 第27页 |
| ·运动方程及其数值解法 | 第27-31页 |
| ·原子间相互作用势函数 | 第31-32页 |
| ·温度和压强控制方法 | 第32-35页 |
| ·薄膜沉积生长的分子动力学模型 | 第35-37页 |
| ·单原子入射沉积与表面迁移过程 | 第37-42页 |
| ·单个原子在入射沉积过程中的动能与轨迹 | 第38-40页 |
| ·增原子的表面迁移动力学 | 第40-42页 |
| ·薄膜温度与温度梯度 | 第42-43页 |
| ·沉积原子入射角对薄膜结构的影响 | 第43-46页 |
| ·结语 | 第46-47页 |
| 第三章 外延生长薄膜失配位错的形成与控制研究 | 第47-94页 |
| ·引言 | 第47-49页 |
| ·模型与方法 | 第49-52页 |
| ·失配位错的形成条件 | 第52-63页 |
| ·失配位错形成条件的热力学分析 | 第52-54页 |
| ·动力学条件——表面结构微扰 | 第54-61页 |
| ·动力学条件——薄膜温度 | 第61-63页 |
| ·负失配条件下失配位错的结构与成核过程 | 第63-71页 |
| ·正失配条件下失配位错的结构与成核过程 | 第71-79页 |
| ·失配度f_x≥0.05 | 第71-73页 |
| ·失配度f_x≤0.04 | 第73-79页 |
| ·关于失配性质影响的分析和讨论 | 第79-81页 |
| ·在纳米晶柱阵列衬底上生长高质量、易剥离外延膜的可能性 | 第81-92页 |
| ·纳米晶柱阵列衬底设计的提出 | 第81-83页 |
| ·纳米晶柱的热稳定性 | 第83-85页 |
| ·纳米晶柱阵列衬底上薄膜外延生长模型 | 第85-86页 |
| ·纳米晶柱阵列衬底上的薄膜外延生长 | 第86-92页 |
| ·结论 | 第92-94页 |
| 第四章 铜膜孪晶形成机理与出现几率研究 | 第94-108页 |
| ·引言 | 第94-95页 |
| ·模拟方法 | 第95-99页 |
| ·孪晶界面能模拟计算方法 | 第95-98页 |
| ·结构分析 | 第98-99页 |
| ·<111>生长铜膜中孪晶界面的形成机制 | 第99-103页 |
| ·孪晶出现的能量解释 | 第103-104页 |
| ·<111>生长铜膜中孪晶界面的出现几率 | 第104-107页 |
| ·结语 | 第107-108页 |
| 第五章 等轴双向应变导致的薄膜生长织构 | 第108-119页 |
| ·引言 | 第108-109页 |
| ·模型与方法 | 第109-111页 |
| ·双晶模型 | 第109页 |
| ·原子晶粒归属的确定方法 | 第109-111页 |
| ·等轴双向应变下铜、铝薄膜的织构形成微观机制 | 第111-117页 |
| ·等轴双向应变下薄膜的织构形成的驱动力 | 第117-118页 |
| ·结语 | 第118-119页 |
| 总结 | 第119-122页 |
| 1 本文的研究结论 | 第119-121页 |
| 2 本文的创新之处 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-134页 |
| 攻读博士期间所发表的论文 | 第134-135页 |
| 致谢 | 第135页 |
