| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·高压开关 AlGaN/GaN HEMT 的研究意义 | 第10-17页 |
| ·GaN 材料的基本性质 | 第10-11页 |
| ·GaN 材料应用于高压开关的优势 | 第11-16页 |
| ·高压开关 AlGaN/GaN HEMT 研究前景 | 第16-17页 |
| ·高压开关 AlGaN/GaN HEMT 的研究进展和面临的主要问题 | 第17-22页 |
| ·高压开关 AlGaN/GaN HEMT 的研究进展 | 第17-22页 |
| ·高压开关 AlGaN/GaN HEMT 面临的主要问题 | 第22页 |
| ·本论文的研究思路及结构安排 | 第22-24页 |
| 第2章 材料生长、器件制备以及测试技术 | 第24-38页 |
| ·材料生长技术 | 第24-31页 |
| ·MOCVD 简介 | 第24页 |
| ·MOCVD 系统组成 | 第24-29页 |
| ·GaN 材料的 MOCVD 生长 | 第29-31页 |
| ·材料、器件表征技术 | 第31-37页 |
| ·双晶 X 射线衍射 | 第31-32页 |
| ·霍尔测量 | 第32-34页 |
| ·卢瑟福背散射能谱分析 | 第34-35页 |
| ·器件通态直流特性测试 | 第35-36页 |
| ·器件击穿特性测试 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMT 材料的生长和表征 | 第38-60页 |
| ·GaN 基 HEMT 的基本原理和结构设计 | 第38-42页 |
| ·III 族氮化物的自发极化 | 第38-39页 |
| ·III 族氮化物的压电极化 | 第39-41页 |
| ·单异质结 AlGaN/GaN HEMT | 第41-42页 |
| ·双异质结 HEMT 的常见结构 | 第42-44页 |
| ·AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMT 结构的设计 | 第44-50页 |
| ·材料生长及测试 | 第50-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第4章 AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMT 开关器件的研制 | 第60-65页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的工艺流程 | 第60-61页 |
| ·器件测试和分析 | 第61-64页 |
| ·InGaN 背势垒层对开关器件直流特性的影响 | 第61-63页 |
| ·InGaN 背势垒层对开关器件击穿特性的影响 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 总结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
