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ZnO纳米片网络结构和Ge纳米棒阵列的制备及其气敏和场发射性能研究

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
第1章 绪论第10-28页
   ·引言第10页
   ·ZnO纳米材料的制备第10-17页
     ·高温蒸发冷凝法(TE)第11-13页
     ·化学气相沉积(CVD)第13-15页
     ·激光烧蚀法(Laser ablation method)第15页
     ·水热、溶剂热法第15-17页
     ·胶体化学法第17页
   ·ZnO纳米材料的性能和器件第17-18页
     ·光电导特性第17页
     ·气体传感性能第17-18页
   ·Ge纳米材料的制备第18-23页
     ·激光烧蚀法第19页
     ·热蒸发法(TE)第19-20页
     ·化学气相沉积法(CVD)第20-22页
     ·电化学法第22-23页
     ·回流法第23页
   ·Ge纳米材料的性能和器件第23-25页
     ·锂离子电池第23-24页
     ·场发射性能第24-25页
   ·本课题的提出及其意义第25页
   ·本论文的研究路线及研究内容第25-28页
第2章 不同结构ZnO纳米片网络传感器的制作及其传感特性第28-48页
   ·引言第28-29页
   ·平板梳状氧化锌纳米片网络传感器的制作及传感特性第29-42页
     ·实验部分第29-31页
       ·氧化锌纳米片网络传感器的制作第29-30页
       ·所得传感器的表征第30页
       ·气敏测试方法第30-31页
     ·结构表征第31-33页
     ·传感特性测试第33-42页
   ·一对金电极上氧化锌纳米片网络传感器的制作及其传感性能第42-46页
     ·实验部分第42-43页
     ·结构表征第43页
     ·气敏特性测试第43-46页
   ·结论第46-48页
第3章 Ge纳米棒阵列的制备及其场发射性能第48-58页
   ·引言第48-49页
   ·实验部分第49-50页
   ·结果与讨论第50-57页
     ·结构表征第50-53页
     ·Ge纳米棒的生长机理第53-55页
     ·场发射性能第55-57页
   ·结论第57-58页
第4章 Ge纳米分级结构的制备及其光催化性能第58-64页
   ·引言第58页
   ·实验部分第58-59页
   ·结果与讨论第59-62页
     ·结构表征第59页
     ·Ge纳米分级结构的光催化性能第59-62页
   ·结论第62-64页
总结第64-66页
参考文献第66-82页
致谢第82-84页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第84页

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