| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-55页 |
| ·电离辐射与探测 | 第17-22页 |
| ·电离辐射 | 第17页 |
| ·电离辐射探测技术 | 第17-18页 |
| ·电离辐射探测器 | 第18页 |
| ·中子的探测 | 第18-22页 |
| ·核反冲法 | 第18-19页 |
| ·核反应法 | 第19-20页 |
| ·核裂变法 | 第20页 |
| ·核活化法 | 第20-21页 |
| ·电离室和正比计数管 | 第21-22页 |
| ·混合辐射场 | 第22-30页 |
| ·中子及相互作用 | 第22-24页 |
| ·中子的分类及其与靶核的相互作用 | 第22-23页 |
| ·中子辐射场 | 第23-24页 |
| ·核反应堆混合场 | 第24-29页 |
| ·常见反应堆辐射场 | 第24-25页 |
| ·n/γ分布 | 第25-27页 |
| ·中子场动态及控制 | 第27-28页 |
| ·反应堆 n/γ混合场的测量 | 第28-29页 |
| ·中子源混合场 | 第29-30页 |
| ·国内外技术现状 | 第30-51页 |
| ·电离室 | 第30-40页 |
| ·国内电离室技术现状 | 第30-35页 |
| ·国外电离室技术现状 | 第35-40页 |
| ·正比计数管 | 第40-51页 |
| ·国内正比计数管技术现状 | 第40-44页 |
| ·国外正比计数管技术现状 | 第44-51页 |
| ·本文的主要研究工作及内容 | 第51-53页 |
| ·组合探测器的结构及材料 | 第51页 |
| ·中子灵敏层的制作 | 第51-52页 |
| ·硼衬正比计数管设计及实验测试 | 第52页 |
| ·涂硼电离室设计及实验测试 | 第52页 |
| ·结论与展望 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第二章 涂~(10)B 探测器结构、材料及信号处理 | 第55-73页 |
| ·涂~(10)B 探测器壁 | 第55-58页 |
| ·中子与电离室壁的相互作用 | 第55页 |
| ·γ射线与电离室壁的相互作用 | 第55-57页 |
| ·工作气体中γ射线沉积能与电离室壁的关系 | 第57页 |
| ·中子、γ与正比计数管壁的作用 | 第57-58页 |
| ·绝缘材料 | 第58-59页 |
| ·绝缘材料的导电机制 | 第58页 |
| ·常用探测器绝缘材料的性能 | 第58-59页 |
| ·工作气体 | 第59-60页 |
| ·常用工作气体比较 | 第59-60页 |
| ·工作气体选择 | 第60页 |
| ·密封材料 | 第60-62页 |
| ·密封的技术要求 | 第60-61页 |
| ·密封材料要求 | 第61页 |
| ·探测器密封材料的选择 | 第61-62页 |
| ·电极 | 第62-64页 |
| ·电离室电极 | 第62-63页 |
| ·正比计数管电极 | 第63-64页 |
| ·中子灵敏材料 | 第64页 |
| ·涂硼电离室信号处理 | 第64-66页 |
| ·信号电流测量 | 第64-65页 |
| ·电离室电源 | 第65页 |
| ·电离室信号处理 | 第65-66页 |
| ·硼衬正比计数管信号处理 | 第66-72页 |
| ·脉冲的处理与检测 | 第66-69页 |
| ·电荷灵敏前置放大器 | 第66-67页 |
| ·线性放大器 | 第67-68页 |
| ·精密脉冲发生器 | 第68-69页 |
| ·数字脉冲波形的显示 | 第69页 |
| ·脉冲幅度谱的测量 | 第69-70页 |
| ·正比计数管信号处理 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第三章 中子灵敏层制作 | 第73-93页 |
| ·中子灵敏层技术特点 | 第73-85页 |
| ·中子灵敏层对探测效率和灵敏度的影响 | 第73页 |
| ·单层硼膜探测效率 | 第73-77页 |
| ·公式的导出 | 第73-75页 |
| ·探测效率的计算 | 第75-76页 |
| ·影响探测效率的因素 | 第76-77页 |
| ·单层硼膜灵敏度 | 第77-80页 |
| ·灵敏度的导出 | 第77-78页 |
| ·灵敏度的结果及评价 | 第78-79页 |
| ·影响灵敏度的因素 | 第79-80页 |
| ·圆柱形硼衬正比计数管探测效率 | 第80-84页 |
| ·正比计数管结构 | 第80-81页 |
| ·探测效率的导出 | 第81-83页 |
| ·探测效率的结果及评价 | 第83-84页 |
| ·正比计数管灵敏度 | 第84-85页 |
| ·灵敏度的导出 | 第84页 |
| ·灵敏度及其影响因素 | 第84-85页 |
| ·中子灵敏层制作过程 | 第85-87页 |
| ·材料选择 | 第85-86页 |
| ·材料用量计算 | 第86-87页 |
| ·硼粉用量 | 第86页 |
| ·Formvar 树脂用量 | 第86-87页 |
| ·1,2-二氯乙烷用量 | 第87页 |
| ·溶液配制过程 | 第87页 |
| ·硼膜制作方法 | 第87页 |
| ·涂硼实验结果 | 第87-91页 |
| ·对不锈钢片浸没涂硼 | 第87-88页 |
| ·对不锈钢片刷涂 | 第88-90页 |
| ·对 PCB 板刷涂 | 第90-91页 |
| ·灵敏层的实验结果 | 第91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 第四章 正比计数管设计及实验测试 | 第93-107页 |
| ·正比管中的气体放大 | 第93-98页 |
| ·电场分布 | 第93-94页 |
| ·倍增过程 | 第94-97页 |
| ·倍增区域 | 第94-95页 |
| ·倍增条件 | 第95-96页 |
| ·最小工作电压 | 第96-97页 |
| ·倍增与阳极和气压的关系 | 第97-98页 |
| ·物理设计 | 第98-99页 |
| ·技术设计 | 第99-100页 |
| ·辐照和测量 | 第100-102页 |
| ·正比计数管结构 | 第100-101页 |
| ·正比计数管的辐照 | 第101页 |
| ·电子学仪器及框图 | 第101-102页 |
| ·高压响应曲线 | 第102-103页 |
| ·输出脉冲 | 第103-104页 |
| ·中子脉冲高度谱 | 第104-106页 |
| ·本章小结 | 第106-107页 |
| 第五章 电离室设计及实验测试 | 第107-123页 |
| ·物理设计 | 第107-108页 |
| ·技术设计 | 第108-111页 |
| ·电离室箱体的密封 | 第108-109页 |
| ·电极板设计 | 第109-110页 |
| ·内部电极的组装 | 第110页 |
| ·信号电流测量 | 第110-111页 |
| ·电离室的辐照 | 第111-112页 |
| ·漏电流测量 | 第112-117页 |
| ·漏电流及来源 | 第112页 |
| ·漏电流分析 | 第112-116页 |
| ·工作气体中的体漏电流 | 第112-113页 |
| ·工作气体的击穿 | 第113-114页 |
| ·绝缘材料中的体漏电流 | 第114-115页 |
| ·极化效应对体漏电流的影响 | 第115-116页 |
| ·绝缘材料中的表面漏电流 | 第116页 |
| ·漏电流测量 | 第116-117页 |
| ·电离室响应测量 | 第117-122页 |
| ·用 Am-Be 中子源测试 | 第117-118页 |
| ·电离室的有关估算 | 第118-120页 |
| ·进入电离室的中子注量率 | 第118-119页 |
| ·输出信号电流的估算 | 第119-120页 |
| ·电离室的中子灵敏度 | 第120页 |
| ·用γ源137Cs 和90Sr 测试 | 第120-121页 |
| ·电离室的γ灵敏度 | 第121-122页 |
| ·本章小结 | 第122-123页 |
| 第六章 结论与展望 | 第123-126页 |
| ·本文主要研究工作 | 第123-124页 |
| ·中子灵敏层制作技术 | 第123页 |
| ·硼衬正比计数管 | 第123-124页 |
| ·涂硼电离室 | 第124页 |
| ·本文创新之处 | 第124-125页 |
| ·浸脂涂硼技术 | 第124-125页 |
| ·降低探测器漏电流 | 第125页 |
| ·电离室的高灵敏度技术 | 第125页 |
| ·研究工作展望 | 第125-126页 |
| 参考文献 | 第126-147页 |
| 致谢 | 第147-148页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第148-150页 |
| 攻读博士学位期间参加科研项目情况 | 第150页 |