| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 1 文献综述 | 第11-29页 |
| ·芳烃加氢工艺 | 第11-19页 |
| ·芳烃加氢的意义 | 第11-13页 |
| ·工业上油品的芳烃脱除工艺 | 第13页 |
| ·芳烃化合物加氢反应机理 | 第13-15页 |
| ·芳烃加氢热力学 | 第15-16页 |
| ·加氢工艺的影响因素 | 第16-19页 |
| ·加氢催化剂 | 第19-25页 |
| ·金属硫化物催化剂 | 第20-21页 |
| ·贵金属催化剂 | 第21页 |
| ·过渡金属氮化物和碳化物催化剂 | 第21-22页 |
| ·过渡金属磷化物催化剂 | 第22-24页 |
| ·过渡金属磷化物催化剂的制备 | 第24-25页 |
| ·加氢催化剂载体 | 第25-27页 |
| ·活性炭载体 | 第26-27页 |
| ·本文研究内容 | 第27-29页 |
| 2 实验部分 | 第29-34页 |
| ·实验药品与仪器 | 第29页 |
| ·实验药品 | 第29页 |
| ·实验仪器 | 第29页 |
| ·催化剂活性评价装置 | 第29-31页 |
| ·实验方案 | 第31页 |
| ·产物分析方法 | 第31-32页 |
| ·催化剂的制备 | 第32-33页 |
| ·活性炭载体的处理 | 第32-33页 |
| ·Ni_2P/AC和Ni_2P/SiO_2催化剂的制备 | 第33页 |
| ·催化剂的表征 | 第33-34页 |
| ·N_2物理吸附 | 第34页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第34页 |
| 3 Ni_2P/AC和Ni_2P/SiO_2催化剂上的芳烃加氢反应性能 | 第34-60页 |
| ·活性炭载体的红外光谱表征 | 第34-35页 |
| ·Ni_2P/AC催化剂的表征 | 第35-37页 |
| ·萘在Ni_2P催化剂上的加氢反应路径 | 第37-45页 |
| ·萘加氢产物分布 | 第37页 |
| ·萘加氢反应网络 | 第37-45页 |
| ·反应条件对萘在Ni_2P/SiO_2上加氢的影响 | 第45-50页 |
| ·反应温度对萘在Ni_2P/SiO_2上加氢的影响 | 第45-47页 |
| ·反应压力对萘在Ni_2P/SiO_2上加氢的影响 | 第47-48页 |
| ·氢油体积比对萘在Ni_2P/SiO_2上加氢的影响 | 第48-49页 |
| ·空速对萘在Ni_2P/SiO_2上加氢的影响 | 第49-50页 |
| ·反应条件对萘在Ni_2P/AC上加氢的影响 | 第50-55页 |
| ·负载量对萘加氢反应活性的影响 | 第50-51页 |
| ·反应温度对萘在Ni_2P/AC加氢反应活性的影响 | 第51-52页 |
| ·反应压力对萘在Ni_2P/AC加氢反应活性的影响 | 第52-53页 |
| ·氢油体积比对萘在Ni_2P/AC加氢反应活性的影响 | 第53-54页 |
| ·空速对萘在Ni_2P/AC加氢反应活性的影响 | 第54-55页 |
| ·反应条件对四氢萘在Ni_2P/AC催化剂上加氢的影响 | 第55-60页 |
| ·反应温度对四氢萘在Ni_2P/AC上加氢反应活性的影响 | 第56页 |
| ·压力对四氢萘在Ni_2P/AC上加氢反应活性的影响 | 第56-57页 |
| ·氢油比对四氢萘在Ni_2P/AC上加氢反应活性的影响 | 第57-58页 |
| ·空速对四氢萘在Ni_2P/AC上加氢反应活性的影响 | 第58-60页 |
| 4 含氮化合物对萘在Ni_2P/AC上加氢的影响 | 第60-74页 |
| ·前言 | 第60页 |
| ·喹啉对萘加氢反应路径的影响 | 第60-64页 |
| ·喹啉对Ni_2P/AC催化剂稳定性的影响 | 第64-65页 |
| ·不同反应条件下喹啉对萘在Ni_2P/AC和Ni_2P/SiO_2上加氢的影响 | 第65-69页 |
| ·不同反应温度下喹啉对萘加氢的影响 | 第65-67页 |
| ·不同压力下喹啉对萘加氢的影响 | 第67-69页 |
| ·喹啉对四氢萘在Ni_2P/AC上加氢的影响 | 第69-74页 |
| ·喹啉对四氢萘加氢路径的影响 | 第69-71页 |
| ·不同温度下喹啉对四氢萘加氢的影响 | 第71-72页 |
| ·不同压力下喹啉对四氢萘加氢的影响 | 第72-74页 |
| 5 含硫化合物对萘在Ni_2P/AC上加氢的影响 | 第74-77页 |
| ·前言 | 第74-75页 |
| ·Ni_2P/AC的抗硫性测试 | 第75-77页 |
| 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
