| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-31页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·透明导电氧化物（TCO）的材料体系 | 第14-18页 |
| ·掺杂TCO薄膜 | 第14-16页 |
| ·多元化合物TCO薄膜 | 第16-17页 |
| ·多层复合TCO薄膜 | 第17-18页 |
| ·ZnO薄膜的结构、基本性质及制备方法 | 第18-27页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第19-20页 |
| ·ZnO薄膜的基本性质 | 第20-22页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第22-27页 |
| ·透明导电薄膜的应用 | 第27-29页 |
| ·薄膜太阳能电池 | 第28页 |
| ·触摸屏 | 第28页 |
| ·气体传感器 | 第28-29页 |
| ·其他方面的应用 | 第29页 |
| ·本课题的主要研究内容及研究意义 | 第29-31页 |
| 第二章 ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备工艺及表征方法 | 第31-41页 |
| ·概述 | 第31页 |
| ·磁控溅射的成膜机理 | 第31-32页 |
| ·磁控溅射法制备ZnO/Cu/ZnO薄膜的工艺控制 | 第32-36页 |
| ·磁控溅射设备 | 第32-34页 |
| ·实验材料的选择 | 第34-35页 |
| ·ZnO/Cu/ZnO薄膜的制备方案 | 第35页 |
| ·薄膜制备流程 | 第35-36页 |
| ·薄膜制备工艺参数 | 第36-37页 |
| ·薄膜性能的表征方法 | 第37-40页 |
| ·膜厚测量 | 第37页 |
| ·X射线衍射物相分析（XRD） | 第37-38页 |
| ·场发射扫描电子显微镜（FE-SEM） | 第38页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第38页 |
| ·X射线光电子能谱（XPS） | 第38-39页 |
| ·紫外可见分光光度计（UV-visspectrophotometry） | 第39页 |
| ·霍尔效应测试仪 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 Cu层厚度对ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的影响 | 第41-47页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·不同Cu层厚度ZnO/Cu/ZnO薄膜的制备 | 第41-42页 |
| ·薄膜的表征及分析 | 第42-44页 |
| ·XRD分析 | 第42-44页 |
| ·薄膜的性能测试 | 第44-46页 |
| ·光学性能 | 第44-45页 |
| ·电学性能 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 不同溅射气氛对ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的影响 | 第47-59页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·氧氩气氛下薄膜的制备及性能研究 | 第47-53页 |
| ·氧氩气氛下薄膜的制备 | 第47-48页 |
| ·薄膜的表征及分析 | 第48-53页 |
| ·氮气气氛下薄膜的制备及性能研究 | 第53-57页 |
| ·氮气气氛下薄膜的制备 | 第53-54页 |
| ·氮气气氛下薄膜的表征及分析 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 退火温度对ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的影响 | 第59-68页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·薄膜的制备 | 第59-60页 |
| ·薄膜的表征及分析 | 第60-66页 |
| ·XRD分析 | 第60-61页 |
| ·AFM分析 | 第61-62页 |
| ·SEM分析 | 第62-63页 |
| ·XPS分析 | 第63页 |
| ·薄膜的电学和光学特性 | 第63-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第六章 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及申请的专利 | 第79页 |
